توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق درمورد ترانزیستور اثر میدانی دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق درمورد ترانزیستور اثر میدانی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق درمورد ترانزیستور اثر میدانی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق درمورد ترانزیستور اثر میدانی :

با دانلود تحقیق در مورد ترانزیستور اثر میدانی در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق ترانزیستور اثر میدانی را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق ترانزیستور اثر میدانی ادامه مطالب را بخوانید.

نام فایل:تحقیق در مورد ترانزیستور اثر میدانی

فرمت فایل:word و قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل:۹۰ صفحه

قسمتی از فایل:

مقدمه

ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.

اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف ۱ـ۱) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب ۱ـ۱) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان I_C در شکل (الف ۱ـ۱) تابع مستقیم مقدار I_B است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ V_GS است که مطابق شکل (ب ۱ـ۱) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.

شکل (۱ـ۱) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.

عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.

این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های ۱ تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.

دو نوع FET در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است.