فایل ورد کامل تحقیق درمورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق درمورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق درمورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق درمورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق درمورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو :

با دانلود تحقیق در مورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو ادامه مطالب را بخوانید.

نام فایل:تحقیق در مورد روش اندازه‌گیری در مقیاس‌ نانو

فرمت فایل:word و قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل:۸ صفحه

قسمتی از فایل:مهندسان مرکز تحقیق مواد پیشرفته، مشغول مطالعه بر روی یک روش اندازه‌گیری در مقیاس‌نانو می‌باشند که به آنها اجازه می‌دهد ساختارهای نیمه‌هادی جدید را در مقیاس اتمی مورد آزمایش قرار دهند، که می تواند راهگشای نسل جدیدی از وسایل الکترونیکی باشد.
دراین روش جدید از طراحی مدل کامپیوتری به همراه میکروسکوپی الکترون عبوری بدون انحراف، که می‌تواند تا ۰.۷ آنگستروم را تفکیک کند استفاده می‌شود. اکثر فواصل بین اتمی در بلورها، مانند سیلیکون، کمتر از ۰.۱ نانومتر (یک آنگستروم) می‌باشند.
توانایی مشاهده ساختارهای اتمی امکان تولید ساختارهای نیمه هادی پیشرفته، مثل ترانزیستورهای اثر میدانی تیغه‌ای (ترانزیستوری که جریان خروجی آن توسط یک میدان الکتریکی متناوب کنترل می‌شود و جایگزین ترانزیستورهای قدیمی خواهد شد) را افزایش می دهد.
دای‌بولد، یکی از اعضای این تیم تحقیقاتی می‌گوید: اصلاح انحراف میکروسکوپ الکترونی، قدرت تفکیک آن را تغییر داده و پنجره جدیدی رو به ساختارهای اتمی فناوری‌نانو گشوده است. او افزود : با استفاده از مدل ها ما قادر خواهیم بود عکس ها را با دقت بیشتری شبیه سازی کرده و در نتیجه برداشت صحیحی از آنچه نگاه می کنیم داشته باشیم.
دکتر برایان کوچ، استاد مهندسی شیمی دانشگاه تگزاس و مدیر این پروژه، می‌گوید: هدف این پروژه به کارگیری نرم‌افزارمنحصر به فرد برای شبیه‌سازی پراش الکترونی مدل‌های نانوسیم‌هایی است که با قطری کمتر از ۲۰ نانومتر، ابعادی شبیه نسل بعدی ورودی و خروجی های ترانزیستورها وساختارهای تیغه‌ای ترانزیستورهای اثر میدانی دارند. از آنجایی که نانوسیم‌ها ساختارهای ساده‌تری دارند، استفاده از آنها به محققان اجازه می دهد که روش‌های میکروسکوپی جدید را برای نیازهای علم اندازه‌گیری در آینده بهبود بخشند.