فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word دارای ۴۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word :

بخشی از فهرست مطالب فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word

مقدمه    
فصل اول :لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها    
مقدمه    
۱-۱ تعریف لایه های نازک    
۱-۲ مراحل تشکیل لایه های نازک    
۱-۳ خواص لایه های نازک    
۱-۳-۱ خواص لایه نازک :    
۱-۳-۲ خواص مکانیکی :    
۱-۳-۳ خواص الکتریکی    
۱-۳-۴ خواص مغناطیسی :    
۱-۳-۵ خواص نوری    
۱-۳-۶ خواص شیمیایی :    
۱-۳-۷ خواص حرارتی :    
۱-۴ روش های تهیه لایه های نازک    
۱-۵ رسوب فیزیکی بخار PVD :    
۱-۶ روش تبخیر حرارتی :    
۱-۶-۱ تبخیر حرارتی مقاومتی    
۱-۶-۲ روش تبخیر حرارتی پرتو الکترونی :    
۱-۶-۳ روش تبخیر حرارتی لیزری    
۱-۶-۴ روش آنی تبخیر    
۱-۶-۵  تبخیر با استفاده از قوس الکتریکی :    
۱-۷ کند وپاش    
۱-۸ رسوب شیمیایی بخار CVD    
۱-۹  اپی تکسی باریکه مولکولی  MBE    
۱-۱۰   لایه گذاری به وسیله پالس لیزری PLD 1 :    
۱-۱۱  لایه نشانی حمام شیمیایی CBD 2 :    
۱-۱۲  روش لایه نشان سل ژل    
۱-۱۲-۱ مراحل فرآیند سل ژل    
فصل ۲:نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی    
مقدمه    
۲-۱ نیمه هادی ها    
۲-۲ نیمه هادی های نوع N و P    
۲-۳ گاف انرژی    
۲-۴  نظریه نوار ها    
۲-۴-۱  نوار های الکترونیکی    
۲-۴-۲ جابه جایی بین نواری    
۲-۵  مواد از نظر گسیل فوتونی    
۲-۵-۱  گاف انرژی مستقیم و غیر مستقیم :    
۲-۶ وابستگی گاف انرژی به دما و فشار    
۲-۷ ماهیت نور    
۲-۸  بیان کمی پدیده ها اپتیکی    
۲-۸-۱ فرآیند جذب    
۲-۹  مدل سازی تابع دی الکتریک    
۲-۹-۱ مدل تاک لورنتز    
منابع و مراجع    

بخشی از منابع و مراجع فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها و نیمه هادی ها و بررسی خواص اپتیکی آنها ۴۵ صفحه در word

[۱] مسعود صلواتی نیاسری، نانوشیمی، انتشارات علم و دانش، ۱۳۸۸

[۲] پیغمبریان، ن، کوچ، اس و میزیروویچ، آ، ” مقدمه ای برنور شناخت نیمه رسانا “، ترجمه مهاجری مقدم، ح و تجلی، ح، انتشارات آستان قدس رضوی، ۱۳۸۰

[۳] روزنبرگ، ” فیزیک حالت جامد “، ترجمه عشقی، ح، عزیزی، ح، انتشارات مرکز نشر دانشگاهی، (۱۳۷۶)

[۴] عالی، حجت زاده، “پوشش های لایه نازک ْ کاربرد خواص مکانیکی و روش های اندازه گیری” انتشارات جهان جام جم – تهران – چاپ اول ۱۳۸۱

[۵] میر عباس زاده کاووس نایبی. پیمان، ” تکنولوژی ساخت لایه های نازک و کاربردهای آن “، انتشارات دانشگاه صنعتی امیرکبیر،

[۶] لودمیلااکرتوا، ” فیزیک لایه های نازک “، ترجمه دکتر هادی سوالونی، انتشارات نشردانشگاهی، ۱۳۸۵

[۷] معتمد اکتسابی. علی، ” روش های نوین در تکنولوژی ساخت لایه ها “، انتشارات سازمان انرژی اتمی ایران – تهران خرداد ۱۳۶۴

[۸] زی، اس ام، ” فیزیک و تکنولوژی قطعات نیمرسانا “، ترجمه غلامحسین سدیر عابدی، انتشارات آستان قدس دانشگاه امام رضا  (ع)، مشهد، چاپ اول

[۹] عمر، ع، ” فیزیک حالت جامد “، ترجمه بنیونی، غ، جلد دوم، انتشارات دانشگاه اراک، (۱۳۸۱)

[۱۰] عمر، ع، ” فیزیک حالت جامد “، ترجمه بنیونی، غ، جلد اول، انتشارات دانشگاه اراک، (۱۳۸۰)

Y. Dimitriev , Y. Ivanova , R. Iordanova , ” History of Sol – Gel Science and Technology (Review)” Journal of chemical Technology and Metallurgy , 43,2,2008,181-

مقدمه

یکی از مهم ترین عرصه های فناوری نانو، لایه های نازک می باشد. از این رو در تحقیقات و صنایع امروزی نیمه هادی ها دارای کاربردهای فراوانی هستند چون خواص اپتیکی و الکتریکی جالبی از خود نشان می دهند

همچنین اثبات شده است که با افزودن نا خالصی به نیمه هادی ها، خواص اپتیکی و الکتریکی آنها تغییراتی پیدا کرده و عملکرد متفاوتی از خود نشان می دهند. در فصل اول مقدمه ای برلایه های نازک و انواع روشهای لایه نشانی از جمله PVD، CVD و کندوپاش و سل ژل را آورده ایم، در فصل دوم خواص اپتیکی نیمه هادی ها، تعریف نیمه هادی ها، ، وتوابع دی الکتریک را مورد بحث قرار داده ایم

فصل اول :لایه های نازک، خواص آنها و روش های ساخت آنها

مقدمه

بررسی خواص فیزیکی ماده در طول صد سال اخیر آن قدر پیشرفت کرده است که امروزه علم فیزیک به گروه بزرگی از شاخه های خاص که اغلب شکاف بزرگی هم بین آنها وجود دارد، تقسیم شده است. این شاخه ها در واقع به علت گستردگی بسیار خود علم به وجود آمده اند، و عملاً با بخش خاصی که مطالعه می شود، و روش بررسی و چیزهایی از این قبیل متمایز می شوند. یکی از این شاخه های مهم و مستقل که درسال های اخیر توسعه یافته فیزیک لایه های نازک است. این شاخه از فیزیک با سیستم هایی سروکار دارد که فقط یک ویژگی مشترک دارند، یعنی آنهایی که یکی از ابعاد شان بسیار کوچک است، درحالی که ممکن است سایر خواص چنین سیستم هایی و همچنین روش های بررسی آنها متفاوت باشند

معمولاً ما در جست و جوی مشخصه های فیزیکی اجسام سه بعدی هستیم و خواص مشخصه این اجسام را هم غالباً برای واحد حجم در نظر می گیریم، یعنی فرض می کنیم که این مشخصه ها به حجم جسم بستگی ندارد. این فرض ما دام که ابعاد جسم «معمولی» یعنی کم و بیش در حد ماکروسکوپی باشد پذیرفتنی است، اما به محض این که با کوچک شدن یکی از ابعاد افزایش قابل ملاحظه ای در نسبت سطح به حجم پدید بیاید دیگر معتبر نیست. در صورت کاهش دو بعد دیگر هم تغییرات بیشتری را می توان مشاهده کرد. مثلا ذره های بسیار کوچک پخش شده در یک ماتریس یا لایه های بسیار نازک مشتمل بر نواحی مجزا بی هنجاریهای قابل ملاحظه ای را در خواصشان بروز می دهند

اگر لایه بسیاز نازکی از یک ماده را در نظر بگیریم، با وضعی مواجه هستیم که در آن دو سطح آن قدر به هم نزدیک اند که می توانند تأثیر به سزایی روی خواص فیزیکی داخلی و فرایند های جسم بگذارند. این کاهش فاصله بین سطوح، و برهمکنش متقابل آنها می تواند به پدیده های کاملاً جدیدی بیانجامد. علاوه بر این کاهش یک بعد ماده تا مرتبه چندلایه اتمی سیستم حد فاصلی بین ماکروسیستمها و سیستم هایی مولکولی پدید می آورد و به این ترتیب روشی برای بررسی ماهیت میکروفیزیکی فرایندهای گوناگون در دسترس قرار می دهد. مطالب بالا از جمله دلایل توجه فیزیک دان ها به موضوع لایه های نازک، و اختصاص شاخه کاملی از فیزیک به این موضوع، و رشد شاخه های فناوری مربوط به آن اند

۱-۱ تعریف لایه های نازک

به طور کلی لایه به ماده یا موادی گفته می شود که به صورت پوششی برروی یک سطح یا ماده می نشیند و باعث ایجاد خواص الکتریکی، فیزیکی و مکانیکی سطحی جدیدی می شود که نه خصوصیات ماده تشکیل دهنده آن را دارد و نه خصوصیات سطحی را که لایه برروی آن رسوبه شده است و خصوصیات سطحی زیر لایه را ارتقاء می بخشد. لایه های نازک را می توان به لایه های رسانا (فلزی)، لایه های نیمه رسانا، و لایه های نارسانا(عایق) از مواد معدنی و آلی تقسیم بندی کرد. در عموم روش های لایه نشانی، هنگامی که ماده از حالت توده ای به صورت ورقه خیلی نازکی از اتم ها. مولکول ها یا یون های مجزا در آیند و توسط چگالش روی سطح زیر لایه نشینند، پوششی ایجاد می شود که آن را لایه و یا فیلم می نامند. چگالش ذرات اتمی مولکولی یا یونی برای تشکیل لایه بر روی زیرلایه توسط فرآیند های فیزیکی و شیمیایی مختلفی صورت می گیرد. معمولاً اگر لایه تشکیل شده نازک باشد، خواص فیزیکی جدیدی از خود بروز می دهد که با خواص همان لایه به صورت توده ای متفاوت است که به این ترتیب می توان قابیلت های جدیدی به محصول افزود. اصولاً لایه ها و پوشش های مختلف از نقطه نظر ضخامت به سه گروه تقسیم می شوند که عبارتنداز

۱- لایه های بسیار نازک با ضخامت کمتر از ۵۰ آنگستروم (۵نانومتر)

۲-لایه های نازک با ضخامت بین ۵۰ تا ۵۰۰۰ آنگستروم

۳- لایه های ضخیم با ضخامت بیش از ۵۰۰۰ آنگستروم[۱]

۱-۲ مراحل تشکیل لایه های نازک

عمدتاً سازو کار مختلف چگالش لایه نازک را بسته به شدت برهمکنش بین اتم های لایه در حال رشد و بین اتم های لایه و زیر لایه می توان تشخیص داد

الف)رشد لایه به لایه (سازوکار وَن در مرو)

ب) هسته بندی سه بعدی، تشکیل، رشد و به هم پیوستن جزیره ها (سازوکارولمر- وِبِر)

ج)جذب سطحی تک لایه و هسته بندی بعدی روی این لایه (سازوکار استرانسکی-کراستانف)