فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word دارای ۲۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word :

بخشی از فهرست مطالب فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word

فصل اول:گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی    
۱-۱مقدمه    
۱-۲ گاز الکترونی دو بعدی    
۱-۳ گازحفره ای دوبعدی    
۱-۴ مروری بر کارهای انجام شده    
۱-۵ مرور اجمالی بر فصل های آینده    
فصل دوم:ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی    
۲-۱ مقدمه    
۲-۲ ساختار چند لایه ای آلاییده مدوله شده    
۲-۳ ساختارهای چند لایهایی سیلیکان – ژرمانیم    
۲-۴ چگالی حالات    
۲-۵  قطبش پذیری و حایل سازی    
۲-۶ ترازهای مقید    
۲-۷ ساختار درون نواری    
۲-۸ جوابهای تقریبی برای تابع موج و انرژی :    
۲-۹ اثرات بس ذرهای    
۲-۱۰ گذارهای نوری درون نواری    
۲-۱۱ مغناطش در مواد    
منابع    

بخشی از منابع و مراجع فایل ورد کامل تحقیق گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی و ویژگیهای گاز الکترونی دو بعدی ۲۹ صفحه در word

[۱] F.M. Peeters, P. Vasilopoulos, Physical Review B 46 (1992)

Physica E: Low-dimensional System and Nanostructures 41 (2009) 1267;

[۲] W.H. Backes, F.M. Peeters, F. Brosens, J.T. Devreese, Physical Review B 45 (1992)

[۳] K. Ismail, et al, Appl.Phys.Lett,66, (1995)

[۴] Laikhtman B and Kiehl R A Phys .Rev. B 47 (1993)

[۵] D.J.Paul ,The Physics, Material and Devices of Silicon Germanium Technology Physics World (2000)

[۶] Arafa M , Fay K P,Ismail , J Chu O ,B Meyerson S and Adesia I IEEE Trans. Electron . Dev.Let 17 124(1996)

[۷] Z. Schlesinger, J.C.M. hwang, S.J. Allen Jr., Physical Review Letters 50 (1983)

[۸] Alan B.Flower and Frank stern IBM Thomas J.watson , Research center ,

Yorktown Height , Newyork

[۹] T.Ando, A.B.Fowler,and F.Stern ,Electronic properties of two – dimensional systems

[۱۰] T. Ando, A. B. Fowler, F. Stern,  Reviews of Modern Physics 54 (1982)

[۱۱] F. M. Peeters, P. Vasilopoulos, Physical Review B 46 (1992)

[۱۲] T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern, Reviews of Modern Physics 54 (1982)

 فصل اول:گاز الکترونی دو بعدی و گازحفره ای دوبعدی

۱-۱مقدمه

مطالعه گاز الکترونی دو بعدی وگاز حفر­ه­ای در ساختار نیم رسانا از اهمیت ویژه­ای برخوردار است زیرا اخیرأ نتایج حاصل از مطالعه اینگونه ساختار­ها در نوع جدید از ترانزیستورها که به  ترانزیستورها­ی نوع (MODFET)[1] مشهور می­باشد به کار گرفته می­شود و این ترانزیستورها عمدتأ در مدار­های مجتمع خصوصأ در تراشه ­های دیجیتال مورد استفاده قرار می­گیرند

اثر جوزفسون در ساختار­های ابررساناگاز الکترونی دو بعدیابر رسانا با حضور بر هم­کنش  اسپین- مدار در لایهَ نرمال مطالعه شده است]۱و۲[ در مرجع ۱ بر هم­کنش اسپین- مدار راشبا واثرشکافتگی زیمان اعمال شده وبا در نظر گرفتن مرز­های کاملآ شفاف، نشان داده شده است که اثر بر هم­­کنش اسپین- مدار روی جریان جوزفسون تنها موقعی قابل مشاهده است که اثر شگافتکی زیمان هم وجود داشته باشد.در این صورت اثر جوزفسون به بر هم­کنش اسپین- مدار وابسته است.در مرجع ۲ نیز یک اتصال ابر رسانا- گاز الکترونی دو بعدی  ابررسانا با مرز­­های کاملآ شفاف در نظر گرفته شده است.با اعمال بر هم­کنش اسپین- مدار راشبا وبر­هم­کنش الکترون- الکترون اثبات شده است که تنها زمانی که برهم­کنش الکترون- الکترون در محاسبات وارد شود، جریان جوزفسون وابسته به برهم­کنش اسپین- مدار راشبا خواهد بود

۱-۲ گاز الکترونی دو بعدی

دو صفحه رسانای موازی به دو قطب یک باطری متصل می­کنیم صفحه متصل به قطب منفی دارای چگالی بار منفی است. در صورتی که ضخامت صفحه به اندازه  کافی کوچک باشد الکترونها تنها می­تواننددر یک صفحه جابجا شوند و به عبارت دیگر در دو بعد تحرک داشته باشندو به این صورت می­توانیم الکترون­های  دو بعدی را تجسم نماییم

۱-۳ گازحفره ای دوبعدی

در صورتی که ماده نیم رسانا آلاییده نوع p باشد در آن صورت جایگاه تراز فرمی در ناحیه ممنوع و بالاتر از مرکزگاف انرژی است. حال اگر یک نیمرسانا با گاف نواری کم بین دو ماده نیمرسانای آلایش یافته نوع p ساندویچ شوددر آن صورت تغییر تراز ظرفیت مطابق شکل زیر خواهد بود و تراز فرمی نوار ظرفیت را قطع می کند . در این حالت نیز یک چاه پتانسیل کوانتومی شکل می گیرد که حفره ها در آن تجمع نموده و گاز حفره ای دو بعدی تشکیل می گردد و همچنان که ذکر شد میزان تحرک پذیری این حفره ها در چاه بسیار زیاد است، اما کمتر از تحرک پذیری الکترونهای دو بعدی است در شکل ( ۲ ) ساختار مدوله آلاییده شده که به روش برآراستی پرتو مولکولی فراهم شده تراز فرمی نوار ظرفیت را قطع نموده و چاه کوانتومی مثلثی شکل ایجاد شده است که گاز حفره ای دو بعدی در این چاه کوانتومی تشکیل می گردد. از ساختار های چند لایه ای که به این روش تهیه شده اند برای مطالعه ترابرد حاملهای گاز دو بعدی در چاه کوانتومی استفاده می شود یکی از کاربرد های این گونه ساختارها ایجاد  ترانزیستور های اثر میدانی آلاییده مدوله شده (MODFET ) می­باشد . به ترانزیستورهایی که با استفاده از این تکنیک ساخته می شوند و در آنها گاز الکترونی دو بعدی در فصل مشترک دو لایه مجاور تشکیل می شود ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد (HEMT) [1]نیز گفته می شود. در یک چنین ترانزیستوری لایه گاز الکترونی دو بعدی به عنوان کانال عبور جریان مورد استفاده قرار می گیرد ، جریان عبوری از ناحیه کانال با استفاده از پتانسیل اعمال شده به دریچه فلزی که باعث تغییر چگالی بار سطحی می گردد قابل کنترل است. با مثبت تر شدن پتانسیل گیت شاتکی ، به دلیل افزایش میزان خمیدگی نوار ،سد پتانسیل ایجاد شده در ناحیه پیوند افزایش یافته و چاه پتانسیل مثلثی شکل عمیق تر می گردد که این امر سبب افزایش چگالی بار سطحی حاملها در گاز الکترونی دو بعدی و در نتیجه باعث افزایش جریان کانال می گردد برعکس با کاهش پتانسیل مثبت گیت شاتکی) منفی تر شدن پتانسیل گیت) سد پتانسیل در ناحیه گاز دو بعدی کاهش یافته و چگالی سطحی حاملها تا جایی که چاه پتانسیل مثلثی حذف گردیده و جریان کانال قطع می گردد.  همچنین در ترانزیستور های اثر میدانی دریچه دار با کانال نوع  p می توان با تغییر پتانسیل دریچه چگالی گاز حفره ای دو بعدی ایجاد شده در کانال SiGe را کنترل نمود .در مدار های کلید و یا مدار های منطقی معمولاً با قطع و وصل ترانزیستور سروکار داریم . در این موارد باید به محدودیت سرعت قطع و وصل ترانزیستور توجه نموده و با توجه به فرکا نس قطع و وصل مورد نظر ، قطعه مناسب را انتخاب نمود . هر چه میزان تحرک پذیری حاملهای گازی(الکترون یا حفره) در لایه فعال بیشتر باشد ، سرعت ترانزیستور بیشتر و زمان سوییچینگ ترانزیستور نیز کوتاهتر خواهد بود. در این نوع ترانزیستور ها گاز حفره ای دو بعدی با تحرک بالا در لایه فعال ایجاد می شود . فرکانس قطع این ترانزیستور گیگا هرتز است

[۱] -ترانزیستورهای با تحرک الکترونی زیاد

[۱]-ترانزیستورهای اثر میدانی آلاییده شده