فایل ورد کامل نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی ۱۴۶ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی ۱۴۶ صفحه در word دارای ۱۴۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی ۱۴۶ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی ۱۴۶ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی ۱۴۶ صفحه در word :

چکیده :
در سال‌های اخیر بعد از کشف TMR , GMR در چند لایه‌های مغناطیسی علاقه شدیدی به گسترش این موضوع در بین محققین به وجود آمد.
در این اثر علاوه بر درجه آزادی از اسپین آن نیز استفاده شده است. با پیشرفت این تحقیقات ، کاربرد وسیع آن در ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی مشخص شد. این پدیده‌های اسپینی به سرعت به اجراء در آمده‌اند، مخصوصاً از بعد از سال ۱۹۸۸ پس از مشاهده نخستین GMR.
کلمات کلیدی در این پروژه ، حافظه‌های غیر فرار ، مقاومت مغناطیسی عظیم و مقاومت مغناطیسی تونل زنی ، ROM , MRAM , PAM ، دیسک‌های مغناطیسی و Shodow RAM و. .. می‌باشد.

مقدمه :
در این پروژه به بررسی انواع حافظه‌ها ، چگونگی عملکرد دیسک‌ها و نیز نحوه ی ضبط اطلاعات بر روی آنها و به طور کل ضبط روی مواد مغناطیسی می‌پردازیم.
هنگامی که اطلاعات بر روی یک به اصطلاح واسطه ذخیره یا ضبط می‌گردند (در اشکال متفاوت ضبط مغناطیسی) ، در می‌یابیم همواره چه در زمان گذشته و چه در زمان حال این فن آوری بوده است که بر صنعت تسلط داشته است. ذرات مغناطیسی با لایه‌های نازک دارای کورسیوتیه چند صد. … هستند و به آسانی قادر به حفظ یک الگوی مغناطیسی از اطلاعات ثبت شده ( در چگالی ده‌ها هزار بیتی ) برای صد‌ها سال بوده و با این حال هنگامی که مطلوب باشد، الگو با نوشتن اطلاعات جدید بر روی قدیم به سادگی قابل تغییر می‌باشد.
از آنجایی که فرآیند ضبط مستلزم یک تغییر در جهت استپین‌های الکترون است ، فرآیند به طور نا محدود معکوس پذیر است و اطلاعات جدید ممکن است فوراً بدون هیچ فرآیندی توسعه لازم را داشته باشد. این مقاله با توسعه خواص مغناطیسی مواد ضبط می‌پردازد که از ۱۹۷۵ رخ داده اند.
قدیمی ترین مواد ضبط مغناطیسی عبارت بودند از سیم‌های فولاد زنگ نزن ۱۲% نیکل و ۱۲% کروم ، که طوری آبکاری آنیلینگ شده بودند که ذرات تک حوزه از فاز مزیتی در یک شبکه آستنیت رسوب می‌کردند. پسماند زدایی تا Oe300-200 به این طریق به آسانی به دست می‌آید. در شکل عملی ، فایده سیم‌ها را می‌توان محدود کرد. سیم‌ها طوری تابیده می‌شوند که نواحی از سیم که در حین ضبط کردن با هد در ارتباط است. لزوماً در عمل خواندن ، نواحی نیست که به هد مماس می‌شود ، ثانیاً سیم‌ها به آسانی می‌شکستند و فقط توسط گره زدن می‌شد آنها را ترمیم کرد.
به همین دلایل سیم‌ها در دهه‌های ۱۹۴۰ و ۱۹۵۰ با نوار‌های وصله جایگزین شدند که با ذرات دارای ترکیب مصنوعی ۷-Fe2O3 تک حوزه – (تک کاربرد) بودند. دیسک‌های مغناطیسی این ذرات را استفاده کردند تا اینکه دهه ۱۹۹۰ فرا رسید. مکانیزم معکوس سازی مغناطیسی کردن در ذرات تک حوزه سوزنی شکل ( با طول نوعاً ۳/۰ و قطر Mm06/0) که عبارتند از دوران غیر منسجم اسپین‌ها ، مورد قبول واقع نشد.
در یک دسته بندی کلی حافظه‌هایی که در سیستم‌های الکترونیکی – استفاده می‌شوند به دو نوع حافظه‌های مغناطیسی (مثل فلاپی دیسک‌ها و دیسک‌های سخت ) و نیمه‌هادی تقسیم می‌شوند.
حافظه‌های نیمه‌هادی که بر خلاف حافظه‌های مغناطیسی فاقد اجزای متحرک و مکانیکی هستند از آرایه‌هایی از سلول‌های حافظه تشکیل شده اند که این آرایه‌ها بسته به نوع حافظه از تعدادی عنصر الکترونیکی مثل ترانزیستور و خازن تشکیل شده اند.
این نوع حافظه‌ها به سه دسته کلی به نام RAM , ROM و Hybrid که ترکیبی از دو نوع اول می‌باشند ، تشکیل شده اند.

فایل ورد کامل نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی ۱۴۶ صفحه در word
فهرست مطالب:
عنوان
چکیده
مقدمه
فصل اول ) نانوتکنولوژی :
۱-۱- آغاز نانوتکنولوژی
۱-۲- نانوتکنولوژی از دیدگاه جامعه شناختی
۱-۳- نانوتکنولوژی و میکرو الکترونیک
۱-۴- فنآوری نانو و فیزیک الکترونیک
فصل دوم ) الکترونیک مغناطیسی
۲-۱- پیش گفتار
۲-۲- انتقال وابسته به اسپین
۲-۳- اصول اولیه
۲-۴- ثبت مغناطیسی
۲-۵- حافظه‌های غیر فرار
۲-۶- کاربردهای آتی
فصل سوم ) مقاومت مغناطیسی و الکترونیک اسپینی
۳-۱- پیش گفتار
۳-۲- مقدمه
۳-۳- مقاومت مغناطیسی عظیم (GMR)
۳-۴- معکوس مغناطیسی سازی با تزریق اسپینی
۳-۵- مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR)
فصل چهارم ) حافظه دسترسی اتفاقی (RAM):
۴-۱- مبانی اصول اولیه
۴-۲- مرور کلی
۴-۳- پیشرفت‌های اخیر
۴-۴- جداره حافظه
۴-۵- حافظه دسترسی اتفاقی Shodow
۴-۶- بسته بندی DRAM
فصل پنجم ) حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAM):
۵-۱- مشخصات کلی
۵-۲- مقایسه با سایر سیستم‌ها
۵-۲: الف) چگالی اطلاعات
۵-۲: ب) مصرف برق
۵-۲: ج) سرعت
۵-۳- کلیات
۵-۴- تاریخ ساخت حافظه‌ها
۵-۵- کاربردها
فصل ششم ) حافظه فقط خواندنی (ROM):
۶-۱- تاریخچه
۶-۲- کاربرد ROM برای ذخیره سازی برنامه
۶-۳- حافظه ROM برای ذخیره سازی داده‌ها
۶-۴- سایر تکنولوژی‌ها
۶-۵- مثال‌های تاریخی
۶-۶- سرعت حافظه‌های ROM
۶-۶: الف) سرعت خواندن
۶-۶: ب) سرعت نوشتن
۶-۷- استقامت و حفظ اطلاعات
۶-۸- تصاویر ROM
فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطیسی :
۷-۱- تاریخچه و سابقه ضبط کردن مغناطیسی
فصل هشتم ) مواد برای واسطه‌های ضبط مغناطیسی :
۸-۱- اکسید فریک گاما
۸-۲- دی اکسد کروم
۸-۳ اکسید فزیک گاما تعدیل شده به واسطه سطح کبالت
فصل نهم ) دیسک‌های مغناطیسی :
۹-۱- سازماندهی دیسک‌ها
۹-۲- برآورد ظرفیت‌ها و فضای مورد نیاز
۹-۳- تنگنای دیسک
۹-۴- فری مغناطیس
فصل دهم ) نوار‌های مغناطیسی :
۱۰-۱- کاربرد نوار مغناطیسی
۱۰-۲- مقایسه دیسک و نوار مغناطیسی
فصل یازدهم) فلاپی دیسک :
۱۱-۱- مبانی فلاپی درایو
۱۱-۲- اجزای یک فلاپی دیسک درایو
۱۱-۲: الف ) دیسک
۱۱-۲: ب) درایو
۱۱-۳ نوشتن اطلاعات بر روی یک فلاپی دیسک
فصل دوازدهم )‌هارد دیسک چگونه کار می‌کند :
۱۲-۱- اساس‌هارد دیسک
۱۲-۲- نوار کاست در برابر‌هارد دیسک
۱۲-۳- ظرفیت و توان اجرایی
۱۲-۴- ذخیره اطلاعات
فصل سیزدهم ) فرآیند ضبط کردن و کاربردهای ضبط مغناطیسی :
۱۳-۱ هدف‌های ضبط
۱۳-۲- کارآیی هد نوشتن
۱۳-۳- فرآیند هد نوشتن
۱۳-۴- فرآیند خواندن
نتیجه گیری و پیشنهادات
پیوست الف )
منابع و مآخذ