فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word دارای ۲۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۰۸
تعداد صفحه ترجمه:۱۱
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۴

موضوع انگلیسی :۱-Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله جمع کننده کامل ۱ بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ۲۴ صفحه در word
چکیده انگلیسی:Abstract: In this paper a new full adder (FA) circuit optimized
for ultra low power operation is proposed. The circuit is based
on modified XOR gates operated in the subthreshold region to
minimize the power consumption. Simulated results using
۶۵nm standarad CMOS models are provided. The simulation
results show a 5% – 20% for frequency ranges from 1 KHz to
۲۰MHz and supply voltages lower than 0.3V
چکیده فارسی:در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود ۵ تا ۲۰ درصدی را در بازه فرکانسی ۱Khz تا ۲۰MHz و ولتاژهای تغذیه زیر ۰.۳V نشان میدهد.