فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word دارای ۴۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۳
تعداد صفحه ترجمه:۳۲
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۱۳

موضوع انگلیسی :Differential Cascode Voltage Switch (DCVS) Strategies
by CNTFET Technology for Standard Ternary Logic
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET 49 صفحه در word
چکیده انگلیسی:Differential Cascode Voltage Switch (DCVS) is a well-known logic style, which constructs robust and
reliable circuits. Two main strategies are studied in this paper to form static DCVS-based standard
ternary fundamental logic components in digital electronics. While one of the strategies leads to fewer
transistors, the other one has higher noise margin. New designs are simulated with HSPICE and 32 nm
CNTFET technology at various realistic conditions such as different power supplies, load capacitors,
frequencies, and temperatures. Simulations results demonstrate their robustness and efficiency even in
the presence of PVT variations. In addition, new noise injection circuits for ternary logic are also
presented to perform noise immunity analysis
چکیده فارسی:DCVS یک الگوی منطقی مشهور است که مدارات قابل اعتماد و قدرتمندی را می سازد. در این مقاله دو استراتژی اصلی برای فرم دهی قطعات منطقی اصلی سه گانه استاندارد مبتنی بر DCVS استاندارد در الکترونیک دیجیتال بررسی می شود . یکی از این استراتژیها منجر به ترانزیستور های کمتر و دیگری منجر به حاشیه نویز بالا می شود . طراحی های جدید با استفاده از CNTFET 32 نانو متری در شرایط مختلفی نظیر منابع تغذیه مختلف ، خازن های بار و فرکانس ها و درجه حرارت های مختلف شبیه سازی شده است . نتایج حاصل از شبیه سازی ها توانمندی و کارایی این استراتژیها را حتی در حضور PVT متغیر نشان داد . علاوه بر آن مدارات جدید تزریق نویز برای منطق سه گانه و اجرای تجزیه تحلیل نویز ارائه شده است .