فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word دارای ۲۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۳
تعداد صفحه ترجمه:۱۳
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۵

موضوع انگلیسی :Microwave noise characterization of graphene field effect transistors
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله مشخصات نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی ۲۴ صفحه در word
چکیده انگلیسی:The microwave noise parameters of graphene field effect transistors (GFETs) fabricated using
chemical vapor deposition graphene with 1 lm gate length in the 2 to 8 GHz range are reported.
The obtained minimum noise temperature (Tmin) is 210 to 610K for the extrinsic device and 100 to
۵۰۰K for the intrinsic GFET after de-embedding the parasitic noise contribution. The GFET noise
properties are discussed in relation to FET noise models and the channel carrier transport.
Comparison shows that GFETs can reach similar noise levels as contemporary Si CMOS
technology provided a successful gate length scaling is performed. VC 2014 Author(s). All article
content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0
Unported License. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4861115]
چکیده فارسی:

خلاصه

پارامتر های نویز مایکرویو ترانزیستور های اثر میدانی گرافنی (GFET ) با استفاده از گرافن تبخیر شیمیایی یا طول گیت در محدوده ۲ تا ۸ گیگا هرتزی ساخته می شوند . حداقل درجه حرارت نویز به دست آمده برای دستگاه خارجی ۲۱۰K تا ۶۱۰ K و این مقدار بعد از به حساب نیاوردن سهم نویز پارازیتی برای GFET طبیعی ۵۰۰ K بوده است . خصوصیات نویز GFET در ارتباط با مدلهای نویز FET و کانال انتقال حامل بحث شده اند . مقایسات نشان می دهند که GFET ها همانند تکنولوژی Si CMOS مرسوم توانایی رسیدن به سطوح مشابه نویز را دارند و به خوبی می توانند مقیاس پذیری سطح گیت را پیاده سازی کنند .

گرافن در تزانزیستور های اثر میدانی با نویز کم و فرکانس بالا به عنوان ماده ایی جدید و نوید بخش می تواند به عنوان کانال استفاده شود . این امر حاصل پراکندگی مخروطی منحصر بفرد با قابلتی تحرک زیاد برای هر دو نوع حامل ها و مسیر سرعت اشباع ذاتی سرعت فیرمی است . از آنجایی که در تحقیق اولین نوع ترانزیستور اثر میدانی گرافنی گیت شده ، تلاش های قابل توجهی برای ارائه آن با فرکانس های بالا انجام شده است با این وجود همچنان مسائلی نظیر تنزل تحرک ناشی از دی الکتریک گیت و لایه سازی زیر لایه یا فلز سنگین برای مقاومت اتصال گرافن حل نشده باقی مانده است . از این رو تنها بعد از قطع اتصال تعبیه ، بالاترین مقادیر فرکانس و گزارش برای GFET به ترتیب ۷۰ GHZ و ۴۲۷ GHZ بوده است .