فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word دارای ۲۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۲
تعداد صفحه ترجمه:۱۵
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۵

موضوع انگلیسی :Design of a ternary static memory cell using carbon nanotube-based transistors
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور ها ۲۶ صفحه در word
چکیده انگلیسی:In this Letter, the authors investigate the use of carbon nanotube-based field effect transistors (CNTFET) for the design of a ternary static
random access memory (SRAM). The authors consider two designs – one using 8 transistors and the other using 14 transistors. Using
circuit simulation models for CNTFETs, the authors show that both designs produce a functional ternary SRAM cell. The authors also
measure the delay and power of the read-and-write operation of the ternary SRAM created using both models and show that the delays are
comparable
چکیده فارسی:در این مقاله نویسندگان آن استفاده از ترانزیستور های اثر میدانی مبتنی بر نانو تیوب کربن (CNTFET ) را برای طراحی یک حافظه RAM ایستای سه گانه بررسی کرده اند . محققان این مقاله دو طراحی ، یکی با ۸ ترانزیستور و دیگری را با ۱۴ ترانزیستور در نظر گرفته اند . با استفاده از مدل شبیه سازی مداری برای CNTFET ها ، محققان نشان داده اند که هر دو طراحی مذکور ، یک سلول SRAM سه گانه کاربردی را تولید می کنند . همچنین نویسند گان این مقاله ، تاخیر و توان عملیات خواندن و نوشتن SRAM سه گانه تولید شده را با استفاده از هر دو مدل ایجاد کرده اند و نشان داده اند که تاخیر بوجود آمده قابل مقایسه است .