فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۲
تعداد صفحه ترجمه:۷
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۳

موضوع انگلیسی :Simulation of electrical characteristics of
InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27/In0.53Ga0.47As double
heterojunction bipolar transistor
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در word
چکیده انگلیسی:Abstract—The electrical characteristics of
InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27/In0.53Ga0.47As double heterojunction
bipolar transistor (DHBT) are investigated. The study is based on
energy balance (EB) transport model and TCAD SILVACO
device simulator. InP/In0.24Ga0.76As0.73Sb0.27 DHBT have a low
Emitter-Base conduction band discontinuity EC and a minimum
base bandgap energy EG among the entire composition range of
Iفایل ورد کامل ترجمه مقاله شبیه سازی مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن ۱۳ صفحه در wordGa1-xAs1-ySby material lattice matched to InP. A low Emitter-
Base turn on voltage VBE and a low collector offset voltage VCE,
as well as a high current gain cut-off frequency, are achieved
چکیده فارسی:مشخصات الکتریکی ترانزیستور دوقطبی دوبل هتروجانکشن (DHBT) بررسی می شود. این تحقیق براساس مدل انتقال تعادل انرژی (EB) و شبیه ساز ابزار TCAD SILVACO است. DHBT Inp/In_۰/۲۴Ga_۰/۷۶As_۰/۷۳Sb_۰/۲۷ دارای عدم اتصال باند رسانایی بیس – امیتر و حداقل انرژی نوار ممنوعه بیس EG در میان دامنه ترکیب کل لایه مواد In_xGa_t-xAs_۱-ysby متصل به Inp است. بیس – امیتر پایین، ولتاژ V_BE و ولتاژ آفست کلکتور پایین V_CE را روشن می کند، همچنین فرکانس برش بهره جریان بالا حاصل می شود.