فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word دارای ۲۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word

ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۳
تعداد صفحه ترجمه:۱۲
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۵

موضوع انگلیسی :دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله رسانایی تفاضلی منفی و تونل زنی طنین دار در ترانزیستور های گرافنی ۲۲ صفحه در word
موضوع فارسی:Resonant tunnelling and negative differential
conductance in graphene transistors
چکیده انگلیسی:The chemical stability of graphene and other free-standing two-dimensional crystals means
that they can be stacked in different combinations to produce a new class of functional
materials, designed for specific device applications. Here we report resonant tunnelling of
Dirac fermions through a boron nitride barrier, a few atomic layers thick, sandwiched between
two graphene electrodes. The resonance occurs when the electronic spectra of the
two electrodes are aligned. The resulting negative differential conductance in the device
characteristics persists up to room temperature and is gate voltage-tuneable due to graphene’s
unique Dirac-like spectrum. Although conventional resonant tunnelling devices
comprising a quantum well sandwiched between two tunnel barriers are tens of nanometres
thick, the tunnelling carriers in our devices cross only a few atomic layers, offering the
prospect of ultra-fast transit times. This feature, combined with the multi-valued form of the
device characteristics, has potential for applications in high-frequency and logic devices
چکیده فارسی:پایدارای شیمیایی گرافن و سایر کریستال های دو بعدی ساده بدین معنی است که آنها قابلیت مجتمع سازی در ترکیبات مختلف را به منظور تولید کلاس جدیدی از مواد کاربردی که برای دستگاههایی با کاربرد های خاص طراحی شده اند را دارند . در این مقاله از طریق یک مانع نیترات بور ، چند لایه اتمی ضخیم که میان دو الکترود گرافن قرار داده شده اند به بررسی تونل زنی طنین دار ذراتی دیراک می پردازیم . عملیات تشدید یا طنین زمانی رخ می دهد که طیفهای الکترونیکی دو الکترود هم تراز یا حالت موازنها داشته باشند . حاصل رسانایی تفاضلی منفی در دستگاههای خاص ، مداوم بودن دمای اتاق و ولتاژ تنظیم پذیر گیت است که به علت خواص منحصر بفرد دیراک مشابه با طیف است . با وجود انکه دستگاههای تونل زنی طنین دار مرسوم ترکیبی از کوانتومی هستند که به خوبی میان دو مانع که دربرگیرنده دهها ناننو متر ضخیم هستند قرار داده شده اند ، اما حامل های تونل زنی در دستگاههای ما فقط دربرگیرنده چند لایه اتمی است و به نسبت قابلیت گذار و عبور فوق العاده بالاتری دارند . این ویژگی که با خصوصیات چند ارزشی دستگاهها ترکیب شده است ، پتانسیل بالایی را برای به کار گیری در دستگاههای منطقی و فرکانس بالا از خود نشان می دهد