فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word دارای ۲۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۲
تعداد صفحه ترجمه:۱۸
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۸

موضوع انگلیسی :RF Integrated Circuits in Standard
CMOS Technologies
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله مدارهای مجتمع RF در فناوری های استاندارد CMOS 29 صفحه در word
چکیده انگلیسی:Since several years the research in the possibilities of CMOS technologies for
RF applications is growning enormously. The trend towards deep sub-micron
technologies allows the operation frequency of CMOS circuits above 1GHz,
which opens the way to integrated CMOS RF circuits. Several research groups
have developed high performance down-converters, low phase noise voltage
controlled oscillators and dual modulus prescalers in standard CMOS
technologies. The research has already demonstrated fully integrated receivers
and VCO circuits with no external components, nor tuning or trimming. Further
research on low noise amplifiers, up-converters, synthesizers and power
amplifiers will hopefully result in CMOS RF circuits for fully integrated
transceivers for telecommunication applications
چکیده فارسی:

از سال پیش تحقیق در مورد احتمال اینکه فناوری های CMOS برای
برنامه های RF با رشد فوق العاده ای صورت می گیرد انجام شده است. گرایش در راستای فناوری های عمیق کمتر از میکرون اجازه می دهد تا عملیات مدارهای CMOS فوق ۱GHz انجاک شوند،
که راه را برای مدارهای مجتمع CMOS RF باز می کند. گروه های تحقیقاتی مختلف
توسعه با کارایی بالا را در زمینه مبدلهای پایین – ، کنترل صدای فاز ولتاژ پایین و
اسیلاتورهای کنترل شده و نمونه های دوتایی را در فناوری های CMOS استاندارد انجاک ی دهند. تحقیقات قبلا نشان داده گیرنده های کاملا یکپارچه و مدارهای VCO بدون اجزای سازنده خارجی ، نه تنظیم و نه قطع دارند. بیشتر
تحقیقات بعدی در زمینه تقویت کننده های کم سر و صدا ، تا – مبدل ها، ترکیب کننده ها و برق بافر
تقویت کننده در مدارهای CMOS RF به طور کامل نتیجه می دهند، کاربرد آنها در سیستم برنامه های ارتباطی است.