پاورپوینت کامل عملکرد MOSFET 37 اسلاید در PowerPoint


در حال بارگذاری
10 جولای 2025
پاورپوینت
17870
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل عملکرد MOSFET 37 اسلاید در PowerPoint دارای ۳۷ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل عملکرد MOSFET 37 اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از مطالب داخلی اسلاید ها

پاورپوینت کامل عملکرد MOSFET 37 اسلاید در PowerPoint

اسلاید ۴: کار بدون ولتاژ گیت ۰=VGVDS=0 یا VDS>0 دو دیود پشت به پشت متوالیجریان = صفر ( مقاومت بینهایت)

اسلاید ۵: ایجاد کانال برای عبور جریان ۰,V GS > 0 = V DSولتاژ آستانه Vt= = ولتاژی که به ازای آن کانال شکل می گیرد. Vt(NMOS)>0 , 1<Vt<3کانال القایی= لایه وارون شده (سطح زیر لایه از نوع P به نوع N تبدیل شده)

اسلاید ۶: ایجاد کانال برای عبور جریان ۰,V GS > 0 = V DSولتاژ آستانه Vt= = ولتاژی که به ازای آن کانال شکل می گیرد. Vt(NMOS)>0 , 1<Vt<3کانال القایی= لایه وارون شده (سطح زیر لایه از نوع P به نوع N تبدیل شده)

اسلاید ۷: VDS=0 VDS کانال تازه القا شده و عبور جریان با اعمالVGS=Vt VDS=0.1 ~0.2V کانال القایی داریم + جریان ناچیزVGS> Vt , VDS=0.1 ~0.2V ماسفت به صورت مقاومت خطی وابسته به VGSعمل می کند (افزایش عمق کانال ) کانال از ابتدا وجود نداشت و بعد از اعمال ولتاژ تشکیل شد. به همین علت نام این ماسفت را افزایشی گذاشته اند.IG=0, ID=IS

اسلاید ۸: شکل گیری خازن توسط گیت وبدنه با عایق Sio2 وجود میدان الکتریکی عمودی بر اثر بارهای القایی: کنترل بار کانال (کنترل رسانایی کانال)کنترل جریان عبوری از کانال هنگام اعمال ولتاژ VDS

اسلاید ۹: مشخصه ID-VDSبا اعمال VGS>Vt و VDSکم عملکرد ماسفت بصورت مقاومت خطی کاهش مقاومت VGS>Vt مقاومت بینهایت VGSVt

اسلاید ۱۰: V GS > V t ,V DSبا افزایش MOSFETکار VDS ولتاژی بین دو سر کانال اعمال می شود از سورس به درین ولتاژ صفر تا VDS می افتد.

اسلاید ۱۱: ولتاژ بین گیت و نقاط کانا

  راهنمای خرید:
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.