پاورپوینت کامل حافظه با دسترسی تصادفی(RAM) 15 اسلاید در PowerPoint

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل حافظه با دسترسی تصادفی(RAM) 15 اسلاید در PowerPoint دارای ۱۵ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل حافظه با دسترسی تصادفی(RAM) 15 اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از مطالب داخلی اسلاید ها

پاورپوینت کامل حافظه با دسترسی تصادفی(RAM) 15 اسلاید در PowerPoint

اسلاید ۴: مراحل خواندن داده از حافظه : -۱ پردازنده ، آدرس سلول مورد نظر را روی گذرگاه آدرس قرار می دهد .۲ – پردازنده ، پایه ی خواندن را فعال کرده تا به حافظه بگوید که قصد خواندن از حافظه را دارد .۳ – حافظه ، محتوای سلولی را که آدرس آن را گذرگاه آدرس دریافت می کند روی گذرگاه داده قرار می دهد- پردازنده ، داده ی مورد نظر را از گذرگاه داده دریافت می کند .مراحل نوشتن داده در حافظه :۱ – پردازنده ، آدرس سلول موردنظر را روی گذرگاه آدرس قرار می دهد .۲ – پردازنده ، پایه نوشتن را فعال کرده تا به حافظه بگوید که قصد نوشتن در حافظه را دارد .۳ – پردازنده ، داده ی مورد نظر را روی گذرگاه داده قرار می دهد .۴ – حافظه ، داده ی ارسالی را از گذرگاه داده دریافت نموده و آن را در سلولی که آدرسش را از گذرگاه آدرس خوانده است ذخیره می کند

اسلاید ۵: DRAMخازن، اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است، در خود نگهداری خواهد کرد. عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف (سطل) بوده ، بمنظور ذخیره سازی مقدار یک در حافظه، ظرف فوق می‌بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد. مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است (وجود سوراخ در ظرف) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی‌ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید، می بایست پردازنده و یا کنترل کننده حافظه قبل از تخلیه شدن خازن، آن را دوباره شارژ نماید. عملیات فوق (Refresh) است، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد. علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری بازخوانی / بازنویسی اطلاعات در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

اسلاید ۶: SRAMیک تکنولوژی کاملاً متفاوت با Dynamic RAM است.هر سلول حافظه از چهار تا شش ترانزیستور تشکیل شده است.در این نوع حافظه، ضرورتی به عملیات Refreshing، نبوده و بدیهی است که سرعت آنان در مقایسه با حافظه های Dynamic به مراتب بیشتر است.با توجه به این که این نوع از حافظه ها دارای بخش ها و عناصر بیشتری می باشند، در نتیجه یک سلول حافظه Static فضای به مراتب بیشتری را نسبت به یک سلول حافظه Dynamic بر روی تراشه، اشغال خواهد کرد.بنابراین حافظه کمتری را در هر تراشه خواهیم داشت و بدیهی است که قیمت آن نیز افزایش می یابد.پس حافظه های Static سریع و گرانقیمت و حافظه های Dynamic ارزان و کند هستند.با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده در Cache) و از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

اسلاید ۷: انواع RAM(Synchronous Dynamic RAM) SDRAMدر این نوع حافظه از تکنولوژی Bursting استفاده شده است. CPU به جای اینکه اطلاعات را تکه تکه دریافت کند یک بلوک بزرگ اطلاعاتی از آدرسهای مختلف را درخواست می کند. بدون اینکه درخواست های متوالی بگذارد با یک درخواست یک بلوک شامل چندین سلول اطلاعات را انتقال می‌دهد. این امر باعث می شود که سرعت ارسال در این نوع ماژول ها خیلی بیشتر از نوع DRAM باشد.

اسلاید ۸: انواع RAMDDRRAM (Double Data Rate RAM)این نوع حافظه به معنی دو برابر بودن نرخ انتقال اطلاعات است . در RAMهای معمولی مانند SD-RAM انتقال اطلاعات فقط در لحظه تقطه اوج موج clock صورت می گیرد ولی در تکنولوژی DDR-RA