پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT 53 اسلاید در PowerPoint

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT 53 اسلاید در PowerPoint دارای ۵۳ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT 53 اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از مطالب داخلی اسلاید ها

پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT 53 اسلاید در PowerPoint

اسلاید ۴: ساختار پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT 53 اسلاید در PowerPointیک پاورپوینت کامل ترانزیستور BJT 53 اسلاید در PowerPoint از نوع pnp از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:یک نیمه هادی p با نام امیتریک نیمه هادی n با نام بیسیک نیمه هادی p با نام کلکتورFigure 5.2 A simplified structure of the pnp transistor.

اسلاید ۵: طرز کار ترانزیستور npn درناحیه فعالدر ناحیه فعال پیوند بیس- امیتر با اعمال ولتاژ خارجی درگرایش مستقیم بایاس شده و پیوند بیس-کلکتور در گرایش معکوس بایاس میشود.Figure 5.3 Current flow in an npn transistor biased to operate in the active mode. (Reverse current components due to drift of thermally generated minority carriers are not shown.)

اسلاید ۶: عبور جریانگرایش مستقیم پیوند بیس-امیتر باعث میشود تا یک جریان نفوذی الکترونها را از ناحیه امیتر به بیس کشانده و متقابلا حفره ها را از بیس به امیتر جذب نماید.معمولا نسبت ناخالصی امیتر بسیار بیشتر از بیس در نظر گرفته میشود تا نسبت جریان الکترون به حفره بیشتر باشد.الکترونهائی که از پیوند عبور کرده و وارد بیس میشوند در بیس بعنوان ناقل اقلیت محسوب میشوند که غلظت آنها در مرز امیتر بیشتر و در مرز کلکتور کمتر خواهد بود. در مرز امیتر این غلظت برابر خواهد بود با: تجمع الکترونها در بیس باعث بوجود آمدن یک جریان نفوذی به سمت کلکتور میشود.البته تعدادی از الکترونها در بیس با حفره ها ترکیب میشوند که باعث میشود تا جریانی که به کلکتور میرسد کمتر از جریانی باشد که از امیتر می آید.

اسلاید ۷: جریان کلکتوربعلت اینکه ولتاژ کلکتور مثبت است الکترونهائی که به مرز بیس و کلکتور میرسند توسط این ولتاژ جذب شده و از ناحیه تخلیه کلکتور-بیس عبور کرده و به ناحیه کلکتور میرسند.این جریان تقریبا برابر با جریان بوجود آمده در ناحیه بیس خواهد بود:دقت شود که مقدار جریان ic مستقل از ولتاژ کلکتور-بیس است. فقط باید ولتاژ کلکتور مثبت باشد تا پیوند کلکتور-بیس در گرایش معکوس قرار گیرد.

اسلاید ۸: جریان بیسجریان بیس دارای دو مولفه است:یکی حفره هائی که از بیس وارد امیتر میشوند:و دیگری جریانی که باید از بیرون تامین شود تا جبران حفره هائی که با الکترونهای جمع شده دربیس ترکیب میشوند را بنماید.از مقایسه جریان بیس با جریان کلکتور به یک رابطه مهم در ترانزیستور میرسیم:مقدار ضریب b برای یک ترانزیستور بخصوص ثابت بوده و در حد ۵۰ تا ۲۰۰ میباشد. این ضریب را بهره جریان امیتر مشترک مینامند.

اسلاید ۹: جریان امیتراز آنجائیکه جریانی که وارد ترانزیستور میشود با جریانی که از آن خارج میشود برابر است داریم:و لذا: و با تغییراتی:

اسلاید ۱۰: مدل ترانزیستور در ناحیه فعالدیدیم که در ناحیه فعال یعنی وقتی که پیوند بیس-امیتر در گرایش مستقیم قرار دارد ولتاژ VBE باعث عبور جریانی از کلکتور میشودکه مقدار آن بطور نمائی با ولتاژ بستگی دارد. این جریان ازولتاژ VCB مستقل است. لذا کلکتور ترانزیستور را میتوان بصورت یک منبع جریان در نظر گرفت.در این حالت جریان بیس ضریبی از جریان کلکتور است.از اینرو میتوان مدل ترانزیستور را دراین ناحیه بصورت زیر در نظر گرفت. این مدل در واقع یک منبع جریان غیر خطی کنترل شونده با ولتاژ است.Figure 5.5 Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the forward active mode.

اسلاید ۱۱: ساختار ترانزیستوردر عمل ناحیه کلکتور مطابق شکل زیر ناحیه امیتر را بطور کامل در برمیگیرد تا بتواند تمامی الکترونهای نفوذی به بیس را جمع کند.بعلت نامتقارن بودن امیتر و کلکتور نمیتوان با عوض کردن آنها به عملکرد مشابهی رسید.Figure 5.6 Cross-section of an npn BJT.

اسلاید ۱۲: علائم مداریترانزیستور با علامت مداری زیر نشان داده میشود. جهت پیکان علاوه بر مشخص نمودن جهت جریان در امیتر جهت جریان را نیز مشخص مینماید.Figure 5.13 Circuit symbols for BJTs.

اسلاید ۱۳: ولتاژ لازم برای بایاس کردن ترانزیستورشکل زیر نحوه اعمال ولتاژ به ترمینالهای ترانزیستور جهت قرار دادن آن در ناحیه فعال را نشان میدهد. Figure 5.14 Voltage polarities and current flow in transistors biased in the active mode.توجه شود که برخلاف MOSFET که جریان گیت آن صفر بود در BJT جریان بیس صفر نیست از اینرو

اسلاید ۱۴: مثالبرای ترانزیستور شکل زیربوده و مقدار VBE=0.7 در جریان ic=1mA است. مدار را بنحوی طراحی کنید که وقتی ولتاژ کلکتور ۵ ولت است جریان آن ۲mA شود. Figure 5.15 Circuit for Example 5.1.

اسلاید ۱۵: پاسخبرای ولتاژ VC=+5V پیوند کلکتور بیس در گرایش معکوس قرار داشته و لذا ترانزیستور در ناحیه فعال قرار خواهد گرفت.مقدار مقاومت RC برابر خواهد بود با:مقدار ولتاژ VBE برای جریان ic=2mA از رابطه زیر بدست می آید:

اسلاید ۱۶: نمایش گرافیکی مشخصه ترانزیستورمشخصه درشکل زیر نشان داده شده است.برای VBE <0.5V جریان بسیار ناچیز است. در اغلب کاربردها VBE در حد ۰.۷V در نظر گرفته میشود.مقدار جریان با تغییر درجه حرارت تغییر اندکی میکند.Figure 5.16 The iC –vBE characteristic for an npn transistor.Figure 5.17 Effect of temperature on the iC–vBE characteristic. At a constant emitter current (broken line), vBE changes by –۲ mV/°C.

اسلاید ۱۷: رابطه جریان و ولتاژ کلکتورFigure 5.18 The iC–vCB characteristics of an npn