پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی ۲۰ اسلاید در PowerPoint

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی ۲۰ اسلاید در PowerPoint دارای ۲۰ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی ۲۰ اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از مطالب داخلی اسلاید ها

پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی ۲۰ اسلاید در PowerPoint

اسلاید ۴: ندر این روش جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند .که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود .در این صورت بیش از ۳۰ درصد خاکستر تولید شده نانو لوله های کربنی هستند.در این روش یک گاز حاوی کربن آن قدر گرم می شود تا ملکول های گاز شروع به تجزیه شدن ،کنند.در این حالت یک زیرلایه در حضور کاتالیزگر در معرض گاز قرار می گیرد .اتم های کربن بر روی زیرلایه و در نزدیکی دانه بلور نیمه رسانا (seed) که از قبل بر روی زیر لایه قرار داده شده جمع می شوند و تا وقتی که زیرلایه در معرض گاز باشد رشد نانولوله های کربنی ادامه دارداین روش مشابه روش اول است با این تفاوت که در این روش از لیزر برای بمباران کردن یک هدف گرافیتی استفاده می شود. با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد.روش های ساخت نانو لوله های کربنیتخلیه الکتریکی پلاسمانشست شیمیایی بخارتبخیر لیزر۳

اسلاید ۵: درترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتیبرای نمودار یک نمودار خطی است در حالی که با افزایش از صفر نمودار تبدیل به یک منحنی غیر خطی می شودمشخصه انتقالی مانند ترانزیستورMOSFET نوع p است.۳

اسلاید ۶: تمامی ترانزیستورهای روی یک ویفر بطور همزمان خاموش و روشن می شوند چون دارای گیت یکسان هستند.ضخامت لایه اکسید زیاد است واز طرفی فرآیند تولید به گونه ای است که سطح تماس نانولوله کربنی با اکسید گیت کم بوده و برای خاموش روشن کردن قطعه با ولتاژ کم مشکل ایجاد می کند.۴

اسلاید ۷: در هندسه ترانزیستورهای گیت بالایی که اولین بار توسط Bachtold وهمکارانش ارائهشده است ، برای بهره بیشتر ، نانولوله های کربنی به طور کامل درون عایق گیت قرار داده می شود . برخلاف ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی گیت پشتی ، می توان تعداد زیادی از این نوع ترانزیستور را روی یک ویفر ساخت ، به دلیل اینکه گیت های هر یک بهصورت مجزا می باشد . همچنین با توجه به ضخامت کم دی الکتریک گیت ، میدان الکتریکی بزرگتری را می توان با یک ولتاژ کم روی نانولوله کربنی ایجاد کرد . با وجود روند ساخت پیچیده تر نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی گیت پشتی ، مزایا فوق باعث می شوند که این نوع ترجیح داده شوندترانزیستور اثر میدانی با نانو لوله کربنی با گیت بالا۵

اسلاید ۸: ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی گیت دور نانولولهقرار دادن گیت در اطراف و در تمام نانولوله که باعث بهبود عملکرد می شود ، در سال ۲۰۱۱ شناخته و توسعه داده شد .ابتدا نانولوله کربنی که دارای پوشش عایق است روی ویفر قرار داده می شود که اتصال فلزی سورس و درین در دو طرف آن قرار داده می شود، سپس برای مشخص کردن و جدا کردن ناحیه سورس و درین ، si زیر نانولوله کربنی زادیش کرد . این زدایش کردن تا رسیدن به عایق بستر ادامه پیدا می کند . سپس با استفاده از موادی که ضریب دی الکتریک بالایی دارند ، عایق بین گیت و سورس و درین ایجاد شده و همچنین فلزی روی این عایق جهت اتصال بهتر فلز گیت به نانولوله کربنی قرار داده می شود.۶

اسلاید ۹: مراحل ساخت ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله های کربنی گیت دور نانولوله۷

اسلاید ۱۰: مشکلات ترانزیستورهای اثرمیدانی با نانو لوله های کربنیتغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنینام