فایل ورد کامل مدلسازی چرخش قطبش غیرخطی در تقویت کننده های نوری نیمه هادی تنش-کرنشی با استفاده از ماتریس های مولر و محاسبات تراکم حامل ها ناشی از تغییر ضریب شکست

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مدلسازی چرخش قطبش غیرخطی در تقویت کننده های نوری نیمه هادی تنش-کرنشی با استفاده از ماتریس های مولر و محاسبات تراکم حامل ها ناشی از تغییر ضریب شکست،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۶ صفحه

مدلی از چرخش قطبش غیرخطی در تقویت کننده های نوری نیمه هادی حجیم تنش-کرنشی ارائه شده است. این مدل از مدل تقویت کننده های نوری نیمه هادی دارای باند عریض در حالت پایدار جهت تعیین تراکم حامل های تقویت کننده و بهره ی وابسته به قطبش استفاده می کند. توزیع تراکم حامل ها نیز به خودی خود در تعیین اختلاف فاز میان مؤلفه های TE و TM سیگنال پروپ CW تقویت شده در حضور پمپ انتشار معکوس کاربرد دارد. قطبش موجبر فعال وابسته به تفاوت ضریب شکست مؤثر با استفاده از روش مارکاتیلی تعیین می شود، حامل های ناشی از تغییرات ضریب شکست نیز با استفاده از مدل دقیق ساختاری باند ماده محاسبه می شود. ماتریس مولر SOA که به شکل ضرب یک تضعیف کننده ی دوگانه و یک شیفت دهنده ی فاز مدل می-شود، جهت پیش بینی بردار استوکس سیگنال تقویت شده کاربرد دارد. این اجازه ی مقایسه ای ساده با نتایج آزمایشگاهی را می دهد چراکه بردار استوکس را می توان به سهولت با استفاده از آنالیزور قطبش اندازه گرفت. این مدل به منظور پیش بینی چرخش قطبش یک سیگنال پروپ در اثر پمپ انتشار معکوس استفاده می شود. همچنین مدل یادشده را می توان در طراحی عملکردهای پردازش سیگنال تمام نوری همچون مبدل طول موج و قطعات منطقی نوری که از اثرات چرخش قطبش تقویت کننده ی نوری نیمه هادی استفاده می کنند، به کار گرفت.

کلیدواژگان: چرخش قطبشی | تقویت کننده نوری نیمه هادی | ماتریکس مولر | بردار استوکس

عنوان انگلیسی:

Modeling of nonlinear polarization rotation in tensile-strained semiconductor optical amplifiers using Mueller matrices and carrier density induced refractive index change calculations

~~en~~ writers :

Michael J. Connelly

A model of nonlinear polarization rotation in a tensile-strained bulk SOA is presented. The model uses a
wideband steady-state SOA model to determine the SOA carrier density and the polarization dependent
gain. The carrier density distribution is used to determine the phase difference between the TE and TM
components of an amplified CW probe signal in the presence of a counter-propagating pump. The active
waveguide polarization dependent effective index difference is determined using the Marcatili method
and the carrier induced refractive index changes are calculated using a detailed material band structure
model. The SOA Mueller matrix, which is modeled as the product of an diattenuator and phase shifter,
is used to predict the Stokes vector of the amplified signal. This allows a simple comparison with
experiment as the Stokes vector can be easily measured using a polarization analyzer. The model is used
to predict the polarization rotation of a probe signal induced by a counter-propagating pump. The model
can be used to aid in the design of all-optical signal processing functions such as wavelength conversion
and optical logic that use SOA polarization rotation effects.

Keywords: Polarization rotation | Semiconductor optical amplifier | Mueller matrix | Stokes vector

$$en!!