فایل ورد کامل ارزیابی عملکرد و پیش‌بینی سلول‌های خورشیدی تک پیوندی و سه پیوندی GaAs تحریک‌ شده با تابش‌ الکترون و پروتون

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ارزیابی عملکرد و پیش‌بینی سلول‌های خورشیدی تک پیوندی و سه پیوندی GaAs تحریک‌ شده با تابش‌ الکترون و پروتون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۴ صفحه

فضای درجه‌بندی شده سلول‌های خورشیدی تک پویندی (SJ) و سه پیوندی (TJ) GaAs، از طریق انرژی‌های متفاوت تابش الکترون –پروتون برای مقایسه با اثرات تابش سلول‌های خورشیدی ارزیابی شدند. با تخریب مدار اتصال کوتاه، ولتاژ مدار باز و حداکثر توان نشان داده شده و تحلیل شده است. در مقایسه با داده‌های تابش سلول تک پیوندی GaAs، سلول سه پویندی GaAs دارای عملکرد برتر سختی-تابش در همان سطح انرژی و نفوذ الکترون و پروتون است. کاهش در تفاوت انرژی الکترون و پروتون با جابجایی دوز آسیب همبسته است. محاسبات مونت کارلو برای تحلیل دوز آسیب جابجایی در ناحیه‌ای که سلول های خورشیدی توسط ناحیه تابش فعال شده‌اند کامل می‌شود. کاهش عملکرد سلول‌های خورشیدی در فضا پیش‌بینی می‌شود. این مطالعه داده‌های مرجعی را برای طراحی آرایه‌های خورشیدی GaAs در محیط تابش در فضای معمولی برای تضمین امنیت و قابلیت اعتماد در فضاپیماهای در حال حرکت در مدار ارائه می‌دهیم.

کلمات کلیدی : دوز آسیب جابجایی | GaAs | مدل پیش بینی | اثرات تابش | سلول خورشیدی

عنوان انگلیسی:

Performance Evaluation and Prediction of Single-Junction and Triple-Junction GaAs Solar Cells Induced by Electron and Proton Irradiations

~~en~~ writers :

Gao Xin, Feng Zhan-zu, Cui Xin-yu, Yang Sheng-sheng, and Zhang Lei

Space-graded single-junction (SJ) and triple-junction
(TJ) GaAs solar cells, produced by MOCVD, are evaluated
through different energy electron- and proton-irradiations to
compare radiation effects on these solar cells. Mean degradations
of the short circuit current, open circuit voltage and maximum
power are presented and analyzed. Compared to the radiation
data of the single-junction GaAs cell, the triple-junction GaAs
cell has a superior radiation-hardness performance at the same
electron or proton energy and fluence. Degradations at different
electron or proton energies have been correlated with displacement
damage dose. Monte Carlo calculations were completed
to analyze displacement damage dose deposited in the solar cell
active regions by space radiation environments. The performance
degradations of both solar cells in space were predicted. This
study provides reference data for the design of these GaAs solar
arrays in the typical space radiation environments to ensure the
security and reliability of on-orbit spacecrafts.

Index Terms: Displacement damage dose | GaAs | model prediction | radiation effect | solar cell.

$$en!!