فایل ورد کامل اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزی نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عایق: ساختار دستگاه جدید با ترانزیستورهای برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمینان

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل اکسید لایه نازک در منطقه رانش دو اکسید فلزی نیمه هادی قرار گرفته بر روی سیلیکون بر روی عایق: ساختار دستگاه جدید با ترانزیستورهای برق با درجه حرارت بالا و قابل اطمینان،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۱ صفحه

در این مقاله یک ترانزیستور نیمه هادی اکسید فلزی نفوذ دوگانه افقی (LDMOS) جدید بر روی سیلیکون بر روی عایق (SOI) گزارش شده است. در ساختار پیشنهادی یک اکسید گودالی در منطقه رانش به منظور کاهش درجه حرارت سطح اصلاح شده است. در دستگاه های LDMOS یک راه برای رسیدن به ولتاژ شکست بالا، ترکیب اکسید گودالی در منطقه رانش است. اما، این استراتژی باعث دمای بالا در شبکه دستگاه می شود. بنابراین، وسط اکسید گودالی در منطقه رانش قلم زده می شود و برای هدایت حرارتی بالاتر و کاهش دمای شبکه در منطقه رانش پر از سیلیکون می شود.
شبیه سازی با شبیه ساز ATLAS دو بعدی نشان می دهد که اکسید گودالی نازک جدید در منطقه رانش N ترانزیستور LDMOS (TT-LDMOS) دارای حداکثر درجه حرارت پایین تر شبکه با ولتاژ شکست قابل قبول با توجه به LDMOS معمولی (C-LDMOS) است. بنابراین، TT-LDMOS می تواند یک دستگاه قابل اطمینان برای ترانزیستورهای برق باشد.

کلمات کلیدی: LDMOS | حداکثر درجه حرارت شبکه | ولتاژ شکست | تحرک

عنوان انگلیسی:

Thin layer oxide in the drift region of Laterally double-diffused metal oxide semiconductor on silicon-on-insulator: A novel device structure enabling reliable high-temperature power transistors

~~en~~ writers :

Mahsa Mehrad

In this paper a new lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor
on silicon-on-insulator (SOI) technology is reported. In the proposed structure a trench
oxide in the drift region is reformed to reduce surface temperature. In the LDMOS devices
one way for achieving high breakdown voltage is incorporating the trench oxide in the
drift region. But, this strategy causes high lattice temperature in the device. So, the middle
of the trench oxide in the drift region is etched and filled with the silicon to have higher
thermal conductivity material and reduce the lattice temperature in the drift region. The
simulation with two-dimensional ATLAS simulator shows that the novel thin trench oxide
in the n-drift region of LDMOS transistor (TT-LDMOS) have lower maximum lattice
temperature with an acceptable breakdown voltage in respect to the conventional LDMOS
(C-LDMOS) structure with the trench oxide in the drift region. So, TT-LDMOS can be a
reliable device for power transistors.

Keywords: LDMOS | Maximum lattice temperature | Breakdown voltage | Mobility

$$en!!