فایل ورد کامل تعیین خصوصیات نانوبلورها با استفاده از طیف سنجی Ellipsometry

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تعیین خصوصیات نانوبلورها با استفاده از طیف سنجی Ellipsometry،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۴ صفحه

اولین کاربرد الیپسومتری برای اندازه گیری پوشش های نازک پلی- و نانوکریستال به دهه ها پیش بر می گردد. مهمترین گام در مسیر تحقیقات الیپسومتری پوشش های نازک کامپوزیت، شناخت اولین الیپسومتری طیف نما در دهه ۷۰ بوده است [۳, ۴, ۸]، که امکان اندازه گیری نقش دی الکتریک را امکان پذیر ساخت، که جزء انگاری آن مستقیما در ارتباط با حساسیت وضعیت چگالی مشترک الکترونیک بوده که بستگی به تغییرات ساختار کریستال دارد. اولین مدل ها بر مبنای روش میانگین موثر با استفاده از عوامل سارنده توابع دی الکتریک [۵] بوده، درحالیکه بخش حجیمی از موئلفه ها در ارتباط با ویژگی های کریستال با پوشش نازک می باشند. این روش بر مبنای نیرومندی اش، محبوب می باشد.
روش حد وسط موثر، توسط مجموعه ای از مدل های تحلیلی مختلف بر مبنای پارامتربندی تابع دی الکتریک، دنبال شد. این مدل ها امکان تعیین خصوصیات مواد را در مواردی می دهند که مواد نمی تواند به عنوان ترکیب همگنی از فازها با توابع دی الکتریک شناخته شده، مد نظر قرار گیرد. این مدل ها همچنین می تواند برای ذرات کوچکی که تاثیر اندازه را نشان می دهند ( و ساختار الکترونیکی اصلاح شده و تابع دی الکتریک) یعنی ذراتی که نمی توانند توسط برگشت های حجیم مدلسازی گردند، مورد استفاده قرار گیرد.
علاوه بر خصوصیات نانوکریستال، روش الیپسومتری امکان توصیف خوصیات لایه های بیشتر همانند کیفیت رابط ( برای نمونه، سختی نانو در مرزهای لایه)، غیریکنواختی عرضی و عمودی یا ضخامت ساختارهای چندلایه را ایجاد می کند.

عنوان انگلیسی:

Characterization of Nanocrystals Using Spectroscopic Ellipsometry

~~en~~ writers :

Peter Petrik

First applications of ellipsometry to the measurement of poly- and nanocrystalline thin films
date back to many decades. The most significant step towards the ellipsometric investigation
of composite thin films was the realization of the first spectroscopic ellipsometers in the ’۷۰s
[۳, ۴, ۸], which allowed the measurement of the dielectric function, the imaginary part of
which is directly related to the joint density of electronics states sensitively depending upon
the changes of the crystal structure. The first models were based on the effective medium
approach using constituents of known dielectric functions [5], whereas the volume fraction
of the components can be related to the crystal properties of the thin films. This approach is
popular ever since, based on its robustness.
The effective medium methods have been followed by a range of different analytical
models based on the parameterization of the dielectric function. These models allow the
determination of the material properties also in cases when the material cannot be considered
as a homogeneous mixture of phases with known dielectric function. These models can also
be used for small grains that show size effects (and hence a modified electronic structure and
dielectric function), i.e. for grains that can not be modeled by bulk references.
Additional to the nanocrystal properties, the ellipsometric approach allows the sensitive
characterization of further layer characteristics like the interface quality (e.g. nanoroughness
at the layer boundaries), the lateral or vertical inhomogeneity or the thicknesses in multi-layer
structures.

$$en!!