فایل ورد کامل مطالعه قابلیت اطمینان اینورتر های منطقی مکمل ارگانیک با استفاده از تنش ولتاژ ثابت

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مطالعه قابلیت اطمینان اینورتر های منطقی مکمل ارگانیک با استفاده از تنش ولتاژ ثابت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۷ صفحه

۴ نتیجه گیری
همه اینورتر های منطقی مکمل ارگانیک به تنش ولتاژ را ثابت در نظر گرفته‌ایم و ویژ گی های استاتیک ترانزیستورهای نوع n و p را به ازای زمان اولیه برای ویژگی‌های استاتیک و دینامیک اینورتر آنالیز کرده‌ایم. تغییرات بزرگی در ویژگی‌های الکتریکی oTFTکه در طول تنش روشن بودند مشاهده شد(بیشتر از ۸۰% در بعضی پارامترها مثل جریان تخلیه اشباع). تغییرات کمتری در ترانزیستور خاموش رخ داده است. باوجود تغییرات بزرگ در ویژگی‌های الکتریکی نیمه هادی‌ها، ویژگی‌های استاتیک اینورتر کمتر تحت تأثیر قرار می‌گیرند مخصوصاً زمانی که هر دو ترانزیستور در زمان یکسانی تنش داشته باشند.با اینحال، تغییرات بزرگتر در زمان تأخیر اینورتر اندازه گیری شد که تا هفت برابر هم افزایش یافت. این ممکن است یک موضوع مهم‌تری نسبت به تخریب خصوصیات استایک باشد و در طراحی در نظر گرفته شود.

عنوان انگلیسی:Reliability study of organic complementary logic inverters using constant voltage stress~~en~~

۴ Conclusions

We subjected all-organic complementary logic inverters to constant voltage stress, analyzing the static characteristics of the p- and n-type thin-film-transistors and, for the first time, not only the static but also the dynamic characteristics of the inverter. The constant voltage stress configurations were chosen to emulate different inverter operating conditions. Large variations were observed on the electrical characteristics of the OTFT, which was in the ON state during the stress (up to 80% on some parameters such as the saturation drain current). Smaller variations were observed in the OFF state transistor. Despite the large variations in the electrical characteristics of the OTFTs, the inverter static characteristics were much less affected, especially when both transistors are stressed at the same time. However, we found that much stronger variations were measured in the inverter delay times, which increased by a factor up to 7. This may become an issue much more crucial than the degradation of static characteristics, and it must be taken into account at design level.

$$en!!