فایل ورد کامل بررسی XPS و TEM در واکنش حالت جامد Ru-Si و رسوب شده ترکیب دوظرفیتی سیلیکون (سیلیسید) روتنیم رشد کرده بر روی سیلیکون

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل بررسی XPS و TEM در واکنش حالت جامد Ru-Si و رسوب شده ترکیب دوظرفیتی سیلیکون (سیلیسید) روتنیم رشد کرده بر روی سیلیکون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۶ صفحه

۴ استنتاج
Silicide های واکنشی حالت جامد و رسوب شده بر Si بواسطه ی طیف نمای Raman، TEM و XPS بررسی شده اند. یافته های اصلی عبارتند از: الف) تائید شده است هر دو ترکیب دوظرفیتی سیلیکون ، ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون قائم الزاویه هستند. ب) سطح هسته Ru ، برابر با ۲۷۹۷eV یافت شده است، یعنی کاهش حدود ۰۳eV انرژی اجباری فلزی آن. در همین زمان، مقدار هسته Si 2p برابر با ۹۹۴eV تعیین شده است، افزایش ۰۱eV از مقدار آن. ج) خواص ساختاری غشاء های رسوب شده در مقایسه با silicide رشد کرده توسط واکنش حالت جامد نامرغوب هستند. د) در لایه silicide اکسید شده، تشکیل اجزاء نانو روتنیم در برای اولین بار بواسطه ی تجزیه و تحلیل TEM نشان داده شده است. ه) بطورکلی، یافته ها برای بکارگیری عملی در دستگاههای رکتیفایر مبتنی بر سیلیکون حائز اهمیت هستند و ارزیابی مجدد مکانیزم اکسیداسیون را نشان می دهند.

عنوان انگلیسی:XPS and TEM study of deposited and Ru–Si solid state reaction grown ruthenium silicides on silicon~~en~~

۴ Conclusion

Deposited and solid state reacted silicides on Si are examined by XPS, TEM and Raman spectroscopy. The main findings are: (i) both silicides are confirmed to be orthorhombic Ru2Si3 silicide. (ii) The Ru 3d5/2 core level of Ru2Si3 is found to be 279.7 eV, a reduction of about 0.3 eV from its metal binding energy. At the same time, Si 2p core value is determined to be 99.4 eV, an increase of 0.1 eV from its Si0 value. (iii) The structural properties of the deposited films are inferior compared to the silicide grown by solid state reaction. (iv) In oxidized silicide layer, the formation of ruthenium nano-inclusions in SiOx are demonstrated by TEM analysis for the first time. (v) Overall, the findings are important for eventual application of Ru2Si3 in silicon based rectifying devices and suggest a reevaluation of the mechanism of Ru2Si3 oxidation.

$$en!!