فایل ورد کامل طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۲ صفحه

V. نتیجه گیری
طراحی و نتایج دو PA میکروموج تنظیم هارمونیکی با راندمان بالا در اینجا ارائه شده است: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در MMIC(MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس ۲۴۵ گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته بندی شده با فناوری PCB می باشد. PA MMIC کلاس F 2.0 GHz به PAE 50%، توان خروجی ۳۸dBm و چگالی توان ۶۲ W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در ۲۴۵ GHz به توان خروجی ۲۲۶ dBm و PAE 73% در تراکم ۳dB می رسد و به دلیل استفاده از فناوری PCB و قطعات ارزان هزینه بسیار کمی دارد. کارهای بیشتری نیز برای بهبود خطی سازی PA راندمان بالا با استفاده از روش LINC[11] و درک فشردگی بالای پایانه های جلو RF با استفاده از آنتن [۱۲] موجود می باشد.

عنوان انگلیسی:Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT~~en~~

V. CONCLUSIONS

Designs and results of two high-efficiency harmonicstuned microwave PAs are presented: the first one is a 2 GHz class-F MMIC PA using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45 inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. The 2.0-GHz class-F MMIC PA achieved a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieved 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low lost due to the use of PCB technology and cheap devices. Further work is to improve the linearity of highefficiency PAs using LINC technique [11] and to realize highly compact RF front ends using active antennas [12], etc.

$$en!!