فایل ورد کامل یک ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی جدید با دو عایق گیت (دریچه ‌ای) مختلف

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل یک ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی جدید با دو عایق گیت (دریچه ‌ای) مختلف،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۶ صفحه

۵ نتیجه‌گیری
در این مقاله، ما یک ساختار جدید برای GNRFET با دو عایق گیت مختلف پیشنهاد کردیم. این ساختار جدید از مزایای دی‌الکتریک‌های بالا و پایین استفاده می‌کند. در TDI-GNRFET پیشنهادی ما، طول گیت به دو بخش مساوی تقسیم می‌شود. دی‌الکتریک گیت در سمت درین (سمت راست) از یک ماده با ثابت دی‌الکتریک پایین برای کاهش ظرفیت خازنی روی کانال در نزدیکی درین انتخاب می‌شود، درحالی‌که دی‌الکتریک گیت در سمت سورس (سمت چپ) از یک ماده با ثابت دی‌الکتریک بالا برای بهبود جریان حالت روشن و کاهش جریان نشتی انتخاب می‌شود.
به‌منظور شبیه‌سازی خواص الکترونیکی ساختار GNRFET پیشنهادی در رژیم بالستیک، NEGF فضای حالت همراه با معادله پواسون مورداستفاده قرار گرفته است و مشخصه‌های شبیه‌سازی شده با مشخصه‌های GNRFET های معمول مقایسه شده‌اند. علاوه بر این، ما از یک مدل خازنی دوبعدی برای ارزیابی الکترونیک ترانزیستور به صوررت تحلیلی استفاده نموده‌ایم.
نتایج نشان داده‌اند که TDI-GNRFET نسبت Ion/Ioff، هدایت انتقالی، بار متحرک و سرعت متوسط بالاتری در مقایسه با GNRFET معمول با ثابت دی‌الکتریک پایین دارد. علاوه بر این، GNRFET پیشنهادی ظرفیت‌های خازنی گیت، سورس و درین بالاتری دارد. مقایسه بین GNRFET های متداول و TDI-GNRFET نشان داد که TDI-GNRFET ظرفیت خازنی کوانتومی پایین‌تر، زمان تأخیر ذاتی کوچک‌تر و حاصل‌ضرب تأخیر در توان کوتاه‌تری نسبت به GNRFET با ثابت دی‌الکتریک بالا دارد. علاوه بر این، ساختار پیشنهادی DIBL و نوسان زیرآستانه بهتری را نسبت به GNRFET معمول با ثابت دی‌الکتریک بالا تأمین می‌کند.

عنوان انگلیسی:A novel graphene nanoribbon field effect transistor with two different gate insulators~~en~~

۵ Conclusion

In this paper, we proposed a new structure for GNRFET with two different gate insulators. This novel structure uses the advantages of high and low dielectrics. In our proposed TDI-GNRFET, the gate length is divided into two equal sections. The gate dielectric at the drain side (right side) is selected from a material with low dielectric constant to decrease the capacitance on the channel near the drain, while the gate dielectric at the source side (left side) is chosen from a material with high dielectric constant to improve On-current and reduce leakage current. In order to simulate the electronic properties of the proposed GNRFET structure in the ballistic regime, the mode space NEGF coupled with Poisson equation has been used, and the simulated characteristics have been compared with those of conventional GNRFETs. Furthermore, we have used a two-dimensional capacitance model to treat transistor electrostatics analytically. The results have indicated that the TDI-GNRFET has higher Ion /Ioff ratio, transconductance, mobile charge and average velocity in comparison with the conventional GNRFET with low dielectric constant. In addition, the proposed GNRFET has higher gate, source and drain capacitances. Comparison between the conventional GNRFETs and TDI-GNRFET revealed that the TDI-GNRFET had lower quantum capacitance, smaller intrinsic delay time and shorter power-delay product compared to GNRFET with high dielectric constant. Furthermore, the proposed structure affords better DIBL and subthreshold swing than conventional GNRFET with high dielectric constant.

$$en!!