فایل ورد کامل آنالیزهای مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز ۱/ƒ در MOSFET ها تحت عملیات سیگنال بزرگ

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل آنالیزهای مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز ۱/ƒ در MOSFET ها تحت عملیات سیگنال بزرگ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۵ صفحه

۴نتایج
نویز ۱/ƒ در موسفت ها، تحت عملیات LS، با استفاده از هر دو مدل تله ی اکسیدی McWhorte و مدل تجربی Hooge ،مدل سازی شد.در مدل تله ی اکسیدی، سهم در تراکم طیف توانی نویز ( PSD) از تله های هماهنگ شده با سطح شبه فِرمی الکترون ها در مورد dc ، بیش از ۶ dB کاهش یافت.اما ، هنگامی که توزیع تله ها یکنواخت بود، هیچ کاهش محسوسی از PSD نویز ۱/ƒ تحت عملیات LS مشاهده نشد.هنگامی که توزیع تله ها به صورت U شکل بود، فاکتور کاهش نویز افزایش یافت، اما تاثیرش محسوس نبود.در مدل Hooge ، تقریبا یک کاهش نویز ۶ dB برای ولتاژ های خاموش پایین، دیده شد.این نتایج مشابه مورد سیگنال کوچک مدل نویز ۱/ƒ هستند.هنگامی که پارامتر Hooge برای موسفت های یک تابع لحظه ای بود، ما نتوانستیم کاهش نویز اضافی را توضیح دهیم/برای توضیح این نتایج آزمایشی با استفاده ازین مدل، منبع نویز باید نه تنها وابسته به نقطه های کار لحظهای باشد ، بلکه باید وابسته به کار متناوب دستگاه روی کل دوره تناوب باشد.در موارد ایده آل شده، هر دو مدل در پیشبینی کاهش نویز بیش از ۶ dB برای PSD نویز ۱/ƒ در موسفت ها تحت عملیات LS، کارامد نبودند.

عنوان انگلیسی:Physics-Based Analysis and Simulation of 1/f Noise in MOSFETs Under Large-Signal Operation~~en~~

IV. CONCLUSION

The 1/f noise in MOSFETs under LS operation has been modeled by using both McWhorter’s oxide-trapping model and Hooge’s empirical model. In the oxide-trapping model, the contribution to noise power spectral density (PSD) of traps aligned to the electron quasi-Fermi level at the dc case was decreased by more than 6 dB. However, when the trap distribution was uniform, no significant reduction of the 1/f noise PSD under LS operation was observed. When the trap distribution was U-shaped, the noise reduction factor was increased, but its effect was not significant. In Hooge’s model, an almost 6-dB noise decrease was observed for the low OFF voltages. It is the same result with that of the small-signal 1/f noise model. When Hooge’s parameter for the MOSFET was an instantaneous function, we could not explain the additional decrease of noise. To explain the experimental results using this model, the noise source should depend not only on the instantaneous operating point but also on the periodic device operation over the whole period. In idealized cases, both models fall short of predicting more than 6-dB decrease of 1/f noise PSD in MOSFETs under the LS condition.

$$en!!