فایل ورد کامل اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۸ صفحه

۴ نتیجه گیری
ما اثر TDD را بر عملکرد سلول های ۱J n+/p GaAs و ۲J n+/p InGaP/GaAs روی سیلیسیم در طیف AM1.5G مورد بررسی قرار دادیم. این تحلیل نشان می دهد که در یک سلول ۱J GaAs روی سیلیسیم با یک پایه GAAS به ضخامت ۲۵ میکرومتر، یک بازدهی بیشتر از ۲۳% را می توان در یک TDD برابر ۱۰۶cm-2 بدست آورد. برای هر دو آرایش سلول ۱J و ۲J، شروع کاهش در VOC این طور که مشخص گردید در یک TDD کمتر نسبت به JSC رخ می دهد که نشان دهنده آن است که V OC نسبت به TDD حساس تر است. سلول ۲J InGaP/GaAs در یک TDD برابر ۱۰۶cm-2 یک بازدهی ۲۶۲۲% در ازای پایه GAAS 2.5 میکرومتری و پایه InGaP 0.9میکرومتری نشان داد. طرح سلول ۲J InGaP/GaAs روی سیلسیم در یک TDD برابر ۱۰۶cm-2 بهینه سازی گردید تا تطبیق جریان بین دو سلول فرعی انجام شود. با باریک شدن سلول فوقانی InGaP از ۰۹ به ۰۳۸ میکرومتر، بازدهی سلول ۲J از %۲۶۲۲ به ۲۹۶۲% افزایش یافت. علاوه بر این، در لایه های میانی در سلول فرعی فوقانی GAP، SRVهای کمتر از ۱۰۴cm/s اثر ناچیزی بر عملکرد سلول ۲J داشتند. در نتیجه، حتی در یک سلول ۲J InGaP/GaAs با شبکه تطبیق داده شده بطور نامناسب روی سیلیسیم با مقدار TDD برابر ۱۰۶cm-2، یک بازدهی تبدیل تئوریک بیشتر از ۲۹% در طیف AM1.5G با مناسب سازی طرح دستگاه قابل حصول است. زمانی که این امر بطور آزمایشگاهی تحقق یابد، فناوری سلول III–V روی سیلیسیم یک نمونه جدید برای پیشرفت سلول های خورشیدی III–V عرضه خواهد کرد و راه های خلاقانه را برای کاربرد در فضا و کاربردهای زمینی توسعه خواهد داد.

عنوان انگلیسی:Impact of Threading Dislocations on the Design of GaAs and InGaP/GaAs Solar Cells on Si Using Finite Element Analysis~~en~~

IV. CONCLUSION

We have investigated the impact of TDD on the performance of 1J n+ /p GaAs and 2J n+ /p InGaP/GaAs cells on Si at AM 1.5G spectrum. The analysis indicates that in a 1J GaAs cell on Si with a 2.5-m-thick GaAs base, an efficiency of greater than 23% can be realized at a TDD of 106 cm2 . For both 1J and 2J cell configurations, the onset of degradation in Voc was found to occur at a lower TDD than in Jsc , indicating that Voc was more sensitive to TDD. The 2J InGaP/GaAs cell at a TDD of 106 cm2 exhibited an efficiency of 26.22% with a 2.5- and 0.9-m-thick GaAs and InGaP base, respectively. The design of the 2J InGaP/GaAs cell on Si was optimized at a TDD of 106 cm2 to achieve current matching between the two subcells. By thinning the top InGaP cell from 0.9 to 0.38 m, the 2J cell efficiency increased to 29.62% from 26.22%. In addition, at the interfaces in the top InGaP subcell, the SRVs below 104 cm/s had negligible impact on the 2J cell performance. Thus, even in a lattice-mismatched 2J InGaP/GaAs cell on Si with TDD of 106 cm2 , a theoretical conversion efficiency of greater than 29% at AM1.5G is achievable by tailoring the device design. Once experimentally realized, the III–V cell technology on Si would offer a new paradigm for the advancement of low-cost III–V solar cells and foster innovative avenues for both space and terrestrial applications.

$$en!!