فایل ورد کامل ترانزیستورهای نانو لوله کربنی اثر-میدانی برای مدارهای دیجیتال عملکرد بالا: تحلیل و مدلسازی DC نسبت به ساختار بهینه ترانزیستور

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترانزیستورهای نانو لوله کربنی اثر-میدانی برای مدارهای دیجیتال عملکرد بالا: تحلیل و مدلسازی DC نسبت به ساختار بهینه ترانزیستور،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۰ صفحه

۵-نتیجه گیری
در این مقاله، الکترونیک مبتنی بر CNT را برای طراحی مدار دیجیتال تجزیه و تحلیل کردیم. ما CNFET های مختلفی را برای سوئیچ بهینه بررسی کردیم. CNFET های SB، CNFET های MOS MOSFE، های Si مدرن، به طور سیستماتیک از دیدگاه طراحی مدار / سیستم مقایسه شدند. اطلاعات ترانزیستور Ion در مقابل IOFF نشان می دهد که در ولتاژهای منبع کم CNFET های SB بهتر از MOSFET های Siعمل می کند، در حالی که در ولتاژهای منبع بالاتر، وضعیت معکوس می شود. محیط شبیه سازی شامل شرح دیوایس اتمیستی و حل کننده مدار مبتنی بر مراجعه به جدول مورد استفاده قرار گرفته است. تجزیه و تحلیل DC نحوه تغییر حاشیه نویز و نوسان ولتاژ را به عنوان تابعی از قطر لوله و ولتاژ توان منبع تعیین کرد. اطلاعات ما نشان می دهد که ما باید با قطر لوله حدود ۱ نانومتر در ولتاژهای منبع کمتر از ۱-V عمل کنیم. تجزیه و تحلیل ما از ساختارهای ترانزیستور SB CNFET تک لوله عملکرد بالا نشان داد که ۱ تا ۱۵ نانومتر برای کاربردهای دیجیتال با سرعت بالا قطر CNT بهینه است. با وجود چندین موانع تکنولوژیکی جدی، CNT ها با قابلیت جریان بالای خود پتانسیل جهت بهبود عملکرد نشان می دهند. با این حال، برای بهبود عملکرد لوله های نیمه هادی، و رشد نانولوله ها در یک جهت از پیش تعیین شده با کنترل خوب ضخامت قطر (برای کنترل تغییرات)، تحقیقات بیشتری بر روی کیفیت مواد نانو لوله های کربنی مورد نیاز است.

عنوان انگلیسی:Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for High-Performance Digital Circuits—DC Analysis and Modeling Toward Optimum Transistor Structure~~en~~

V. CONCLUSION

In this paper, we have analyzed the promise that CNTbased electronics hold for digital circuit design. We investigated different CNFETs for an optimal switch. SB CNFETs, MOS CNFETs, and state-of-the-art Si MOSFETs were systematically compared from a circuit/system design perspective. Transistor ION versus IOFF data show that SB CNFETs outperform Si MOSFETs at low supply voltages, while at higher supply voltages, the situation is reversed. A simulation environment incorporating an atomistic device description and a lookup-tablebased circuit solver has been used. DC analysis determined how noise margin and voltage swing vary as a function of tube diameter and power-supply voltage. Our data suggest that we should operate at lower than 1-V supply voltages with tube diameter of around 1 nm. Our analysis of high-performing single-tube SB CNFET transistor structures revealed that 1 to 1.5 nm is the optimum CNT diameter for high-speed digital applications. Despite several serious technological barriers, CNTs with their high-current capability show a potential for performance improvement. However, further research is required on material quality of the CNTs, on improving the yield of semiconducting tubes, and on the growth of the nanotubes in a predetermined direction with good control of diameter thickness (for control of variation).

$$en!!