فایل ورد کامل پردازنده شرکت پذیر مقاوم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل پردازنده شرکت پذیر مقاوم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۳ صفحه

۶ نتیجه گیری کلی:
این مقاله یک ReAP را بررسی می کند، که توانایی مقیاس گذاری AP را از چند میلیون Pus به چندصد میلیون Pus بر روی یک ماتریس سیلیکون منفرد دارد، که به نیازهای محاسباتی درحال رشد دوره ی داده های بزرگ پیوسته است. ما عملکرد و مصرف نیروی ReAP را با عملکرد و مصرف نیرو در CMOS AP سنتی و شتاب دهنده SIMD متداول (GPU) مقایسه می کنیم. ما به این نتیجه رسیدیم که اگرچه تراکم بالای قدرت و دوام محدود memristor توانایی ReAP را محدود می کند، اما به مقیاس پذیری خیلی بهتر و عملکرد بالاتر درمقایسه با CMOS و شتاب دهنده های SIMD متداول اجازه می دهد. پیشرفت آینده در توسعه ی مواد جدید برای memristor به مقیاس پذیری مستمر، کارایی نیروی بهبود یافته، و دوام بالاتر برای ReAP اطمینان می بخشد.

عنوان انگلیسی:Resistive Associative Processor~~en~~

۵ CONCLUSIONS

This paper explores a ReAP, which has the potential to scale the AP from a few millions of PUs to a few hundred millions of PUs on a single silicon die, adhering to the ever growing computing needs of big data era. We compare the performance and power consumption of ReAP to those of traditional CMOS AP and conventional SIMD accelerator (GPU). We conclude that although high power density and finite endurance of memristors limit the potential of ReAP, it allows much better scalability and higher performance compared to CMOS AP and conventional SIMD accelerators. Future progress in development of new materials for memristors will ensure continuous scalability, improved power efficiency, and higher endurance for ReAP.

$$en!!