فایل ورد کامل مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۴ صفحه

۵ نتیجه گیری
ما مدل فشرده پارامتری شده ای سازگار با SPICE از GNRFET نوع MOSFET معرفی کردیم. در این مدل اثرات N(WCH)، LCH، Tox، fdop و زبری لبه بر جریان و بار منظور گردید. هم چنین، ما معماری مدار مبتنی بر GMR را معرفی کردیم که تلفیقی از گیت‌ها و اتصالات میانی بود. این مدل و معماری اجازه می‌دهند تا عملکرد سطح مدار GNRFETها تحت شرایط تغییر فرآیند ارزیابی شود. ما شاهد بودیم که GNFETها نسبت به CMOS برای کاربردهای کم مصرف امیدوارکننده اند. چون تأخیری مشابه با توان نشتی کمتر دارند. این امکان وجود دارد که GNRFETها فرکانس عملیاتی بیشتری حاصل می‌کند مشروط براینکه ولتاژهای آستانه تنظیم شده باشند تا توان نشتی مشابه CMOS حاصل شود. ما نیز نشان دادیم که زبری لبه می‌تواند بطور اساسی مزایای عملکرد و توان نشت GNRFETها را تقلیل دهد.

عنوان انگلیسی:A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation~~en~~

V. CONCLUSION

We presented a parameterized, SPICE-compatible compact model of a MOSFET-type GNRFET. It captured the effects of N(WCH ), LCH , Tox , fdop, and edge roughness on current and charge. In addition, we presented a GNR-based circuit architecture that integrates gates and interconnects. The model and the architecture allow circuit-level performance evaluations of GNRFETs under process variation. We observed that GNRFETs are promising compared to CMOS for low power applications, since they have similar delay with smaller leakage power. It is possible that GNRFETs would provide higher operating frequency if the threshold voltages were tuned to achieve the same leakage power as CMOS. We also showed that edge roughness can critically reduce the performance and leakage power advantages of GNRFETs.

$$en!!