فایل ورد کامل یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های ۳?۱-۱۰?۶ GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد ۰?۱۳ um

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های ۳?۱-۱۰?۶ GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد ۰?۱۳ um،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۵ صفحه

۷ جمع بندی
یک تقویت کننده ی کم نویز CMOS سه مرحله ای (LNA) با استفاده از طراحی آبشاری برای بهره ی بالا و نویز کم در مرحله ی اول پیشنهاد شده است. در مرحله ی دوم یک طراحی کششی فشاری تکمیلی برای بهبود عملکرد خطی استفاده شده است. یک طراحی سورس مشترک برای افزایش بهره ی کلی LNA پیشنهاد شده در مرحله ی دوم استفاده شده است. تکنیک های بایاس بدنه به صورت مستقیم برای کاهش ولتاژ سرحد، تامین توان و مصرف توان در LNA استفاده شده است.
یک ساختار بالاگذر با خریب القایی منبع برای کاهش تعداد القا دهنده ها استفاده میشود؛ ازین رو، این موضوع موجب کاهش سایز قالب گیری و شکل نویز مدار طراحی شده میباشد. UWB CMOS LNA پیشنهاد شده یک کاندید خوب برای کاربرد های UWB میباشد زیرا مصرف توان و ولتاژ پایینی نیاز دارد.

عنوان انگلیسی:A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–۱۰۶ GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process~~en~~

۷ Conclusion

A three-stage CMOS low noise amplifier (LNA) was proposed using a cascode topology for its high gain and low noise figure at the first stage. At the second stage a complementary push–pull topology was used to enhance the linearity performance. A simple common source topology was used to increase the total gain of the proposed LNA as the third stage. Forward Body-Biased technique was chosen to reduce the threshold voltage, power supply and as well power consumption of the LNA. A high pass filtering structure with source inductive degeneration technique was employed to reduce the number of inductors; therefore, reduces the die area and the noise figure of the designed circuit. The proposed UWB CMOS LNA is a good candidate for UWB wireless applications due to its low voltage and low power consumption.

$$en!!