فایل ورد کامل بررسی خصوصیات سلول خورشیدی CIGS با راندمان بالا و نزدیک به ۲۱?۷%

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل بررسی خصوصیات سلول خورشیدی CIGS با راندمان بالا و نزدیک به ۲۱?۷%،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۸ صفحه

-۴نتیجه گیری:
خصوصیات جدیدترین سلول های خورشیدی CIGS با بازده ۲۱۷% یک افزایش قابل توجه در چگالی جریان اتصال کوتاه و ولتاژ آستانه و ضریب FF نشان میدهد. افزایش چگالی جریان به دلیل بهره نوری در یک لایه CdS نازکتر و کاهش مینیمم GGI در دو لایه ی جذب کننده ی CIGS اتفاق می افتد. به نظر میرسد که تغییر سریع ترکیب ماده ها در قسمت جلو به عملکرد سلول خورشیدی آسیب نمی رساند. نتایج پیشنهاد  میدهد که فرآیند PDT اثرات ناشی از شبکه را کاهش میدهد. همچنین فرآیند PDT باعث بهبود چگالی جریان اشباع میشود. مقایسه نتایج ما با سلول خورشیدی ۲۰۹% شرکت Solar Frontier نشان می دهد که ترکیب فرآیند PDT و لایه ی بافر در یک سلول خورشیدی حتی باعث بازده بالاتر از چیزی که در این گزارش ارایه شده است میشود.

عنوان انگلیسی:Properties of Cu(In,Ga)Se2 solar cells with new record efficiencies up to 21.7%~~en~~

۳ Conclusion

The properties of the most recent CIGS solar cells with conversion efficiencies up to 21.7% show a remarkable increase in Jsc, a high Voc level and improved FF when compared to former record results. The significant increase in Jsc can be explained by an optical gain through a thinner CdS buffer layer and a lower GGI minimum in the double-graded CIGS absorber. Seemingly, the very steep front grading does not harm the solar cell performance. The results may suggest that the PDT procedure has a passivating effect on (lattice-induced) defects. In addition, a general trend towards lower ideality factors and saturation current densities can be observed for PDT treated cells. The comparison of our results with the results of Solar Frontier (20.9%) permits the conclusion that a combination of PDT procedures and alternative buffer layers in one cell system has the potential for even higher efficiencies than reported here.

$$en!!