فایل ورد کامل سوئیچ شکاف نواری فعال فوتونی مبتنی بر چاه چند کوانتومی GaInNAs

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل سوئیچ شکاف نواری فعال فوتونی مبتنی بر چاه چند کوانتومی GaInNAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۲ صفحه

۶ نتیجه گیری
تاثیرگذاری جریان تزریق شده بر ویژگی های انتشار نوری ساختار MQW PBG نیتریدهای رقیق، مورد بررسی قرار گرفته است. به طور خاص، یک سوئیچ فعال انتخابی طول موج در طول موج ۱۲۸۵۵ = میکرومتر طراحی شده است. مقدار خوبی از تداخل ارتباطی ۱۴۱ – = (POFF/PON)10Log = CT دسی بل با یک بهره در حالت روشن معادل با ۷۶ = G دسی بل به دست آمده است. حضور یک لبه باند باریک معین کننده PBG در حالت روشن اجازه به دست آوردن سوئیچینگ انتخابی طول موج شدید را در ۱۲۸۵۵ = میکرومتر می دهد که برای آن یک تداخل ارتباطی یا همشنوایی ۱۰ – CT دسی بل در پهنای باند ۱۵ = -۱۰dB نانومتر مفروض است.در مقایسه با سوئیچ فعال مبتنی بر InP گزارش شده در [۳۱]، که برای یک بهره دستگاه G 4 دسی بل در طول موج ۱۵۴۹۴ = میکرومتر نشان داده شده، سوئیچ فعال QW نیترید رقیق پیشنهادی به بهره دستگاه بالاتر ۷۶ = G دسی بل در ۱۵۴۹۴ = میکرومتر می رسد. علاوه بر این، حتی تداخل ارتباطی یا همشنوایی برای دستگاه مورد بررسی ما بهبود می یابد که از ۱۱ – CT دسی بل برای سوئیچ InP به ۱۴۱ – CT برای دستگاه GaInNAs کاهش می یابد.
تاثیرگذاری اثر اشباع بهره، با توجه به افزایش قدرت ورودی بالاتر از مقدار آستانه، باعث بدتر شدن عملکرد سوئیچینگ با کاهش بهره G، عمق مدولاسیون MD، و نسبت کنتـــــراست CR، و با افزایش CT می گردد. با این حال، اشباع بهره انتخاب طول موج را با کاهش مقدار پهنای باند به ۰۸ = -۱۰dB نانومتر بهبود می بخشد.

عنوان انگلیسی:Active Photonic Band-Gap Switch Based on GaInNAs Multiquantum Well~~en~~

۶ Conclusion

The influence of the injected current on the optical propagation characteristics of dilute nitrides’ MQW PBG structure has been investigated. In particular, a wavelength selective active switch at the wavelength ¼ ۱:۲۸۵۵ m has been designed. A good value of the crosstalk CT ¼ ۱۰LogPOFF=PON¼۱۴:۱ dB with a gain in the ON-state equal to G ¼ ۷:۶ dB is achieved. The presence of a narrow band edge delimiting the PBG in the ON-state allows to obtain a strongly wavelength selective switching at ¼ ۱:۲۸۵۵ m for which a crosstalk CT 10 dB is assured in the bandwidth 10 dB ¼ ۱:۵ nm. Compared with InP-based active switch reported in [31], for which a device gain G ffi 4 dB was demonstrated at wavelength ¼ ۱:۵۴۹۴ m, the proposed dilute nitride QW active switch achieves higher device gain G ¼ ۷:۶ dB at ¼ ۱:۲۸۵۵ m. Moreover, even the crosstalk improves for our examined device decreasing from CT ffi 11 dB for the InP switch to CT ¼ ۱۴:۱ dB for the GaInNAs device. The influence of the gain saturation effect, due to the increase of the input power above the threshold value, causes the deterioration of the switching performance by reducing the gain G, the modulation depth MD, and the contrast ratio CR, and by increasing the CT. However, the saturation of the gain improves the wavelength selectivity with the reduction of the bandwidth value to 10 dB ¼ ۰:۸ nm. Acknowledgment

$$en!!