فایل ورد کامل کاهش جریان نشتی در FET بدون پیوند تونلی با استفاده از منبع با ناخالصی کم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل کاهش جریان نشتی در FET بدون پیوند تونلی با استفاده از منبع با ناخالصی کم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۶ صفحه

۳ نتیجه گیری
در ابتدا، مسئله نشتی عظیم از طریق مرکز دستگاه برای JLTFETهای سیلیکونی با ضخامت بدنه عریض تر از ۱۰ نانومتری را گزارش میکنیم. دلیل نشتی عمدتا به جهت تزریق حامل در منطقه منبع است. برای توسعه منطقه تخلیه زیر گیت- p، مفهومی از منبع با ناخالصی کم را معرفی می کنیم. جریان نشتی بطور موفقیت آمیزی تا ۸ مرتبه برای یک JLTFET از ضخامت بدنه ی ۲۰ نانومتری کاهش می یابد. تغییرپذیری در ویژگی های انتقال دستگاه برای موقعیت های مختلف از پیوند n+-n مطالعه می شود. این نتیجه حاصل می شود که پیوند را می توان بطور انعطاف پذیری بدور از هر تغییر قابل توجه در عملکرد دستگاه تنظیم نمود. به منظور اجتناب از هر پیوند ناگهانی، JLTFET با تزریق ناخالصی جانبی غیر یکنواخت تحت شرایط پروفیل گاوسی را ارائه می کنیم. دستگاه نتایج بهبود یافته ی قابل مقایسه با JLTFET پیوند ناگهانی را نشان می دهد. بنابراین، از مسئله نشتی در JLTFET با استفاده از معماری تزریق ناخالصی غیر یکنواخت اجتناب می کنیم. با استفاده از ساختار تزریق ناخالصی غیر یکنواخت، می توانیم ساختارهای JLTFET انبوه در تنظیمات FInFET یا SOI را پیاده سازی کنیم.

عنوان انگلیسی:Leakage current reduction in junctionless tunnel FET using a lightly doped source~~en~~

۳ Conclusion

Firstly, we report the problem of excessive leakage through the center of the device for Si JLTFETs with body thickness wider than 10 nm. The reason for the leakage is mainly due to carrier injection in the source region. To extend the depletion region below the p-gate, we introduce a concept of lightly doped source. The leakage current was successfully reduced by eight orders of magnitude for a JLTFET of body thickness of 20 nm. The variability in the transfer characteristics of the device for different positions of the n-n junction is studied. It is found that the position of the junction can be flexibly adjusted without any significant change in the device performance. In order to avoid any abrupt junction, we propose the JLTFET with lateral non-uniform doping following the Gaussian profile. The device shows improved results comparable to abrupt junction JLTFET. Thus, we can avoid the problem of leakage in JLTFET by using the non-uniformly doped architecture. Using the non-uniformly doped structure, we can try to implement bulk JLTFET structures in SOI or FInFET configurations.

$$en!!