فایل ورد کامل طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۴ صفحه

نتیجه گیری
طرح n-MOSFET مقاوم به تابش جدید نامگذاری شده بعنوان یک لایه n-MOSFET DGA برای یک طراحی مدار مقاوم به تابش ارزیابی می شود. برای اهداف عملی، طرح n-MOSFET DGA ارائه شده دارای محدودیت هایی با توجه به نسبت W/L و هندسه نامتقارن نیست. علاوه بر این، در مقایسه با ELT، این دارای ظرفیت خازنی گیت نسبتا کوچ تر و ردپای کوچک تر است. بنابراین، محدودیت های طراحی با توجه به نسبت W/L محدود شده در طراحی مدار آنالوگ و محدودیت سرعت عملیاتی با توجه به خازن گیت بزرگ تر در طراحی مدار دیجیتال می تواند تکمیل شود. با اینحال، n-MOSFET DGA ارائه شده در کاهش سرعت عملیاتی جزئی در مدار دیجیتال در مقایسه با n-MOSFET معمولی نتیجه می دهد.
طرح n-MOSFET DGA ارائه شده تمامی مسیرهای جریان نشتی ناشی از تابش را با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p+ و گیت های ساختگی حذف می کند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده، همانطور که انتظار می رود، حتی از طریق تراکم بار فیکس شده ی افزایش یافته، عملکرد خوبی دارد. علاوه بر این، با توجه به نتایج تجربی، n-MOSFET DGA تولید شده، حتی پس از قرار گرفتن در معرض ۵۰۰ krad (Si) از اشعه گاما، باز عملکرد خوبی دارد. نتایج تجربی تائید می کند که طرح n-MOSFET DGA ارائه شده برای دستگاه های الکترونیکی تحمل تابش مناسب است، حی زمانی که یک ولتاژ ۰ V برای گیت های ساختگی و لایه فلز-۱ ساختگی به کار می رود.

عنوان انگلیسی:Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit~~en~~

V. CONCLUSION

A new radiation-tolerant n-MOSFET layout termed a DGA n-MOSFET layout was evaluated for a radiation-tolerant circuit design. For practical purposes, the proposed DGA n-MOSFET layout does not have limitations with regard to the W/L ratio and asymmetrical geometry. Furthermore, compared with the ELT, it has a relatively smaller gate capacitance and smaller footprint. Therefore, the design limitations with regard to the limited W/L ratio in analog circuit design and the operating speed limitation with regard to the larger gate capacitance in the digital circuit design can be supplemented. Nevertheless, the proposed DGA n-MOSFET results in a slight operating speed degradation in the digital circuit compared with the conventional n-MOSFET. The proposed DGA n-MOSFET layout eliminated all radiation-induced leakage current paths by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. The simulation results demonstrate that the proposed DGA n-MOSFET structure performed well, as expected, even though the fixed charge density increased. Furthermore, from the experimental results, the fabricated DGA n-MOSFET exhibited good performance, even after exposure to 500 krad (Si) of gamma radiation. The experimental results confirm that the proposed DGA n-MOSFET layout is adequate for radiation-tolerant electronic devices, even when a voltage of 0 V is applied to both the dummy gates and dummy Metal-1 layer.طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش

$$en!!