فایل ورد کامل  ابزار CAD پیشرفته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF با عرض های دروازه بزرگ

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل  ابزار CAD پیشرفته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF با عرض های دروازه بزرگ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۵ صفحه

۶  نتیجه گیری
با استفاده از یک الگوریتم CAD جدید، مدلسازی نویز و آنالیز FET میکروموج بصورتی کارآمد مطالعه می-شود. در واقع، از آنجا که تنها نصف طول FET، بجای کل ساختار استفاده می شود، زمان محاسباتی بطور قابل توجهی تحت تاثیر قرار می گیرد. همچنین، اجرای این تکنیک CAD در شبیه سازهای موج- میلی متری و میکروموج سرراست و مستقیم است و نتایج قابل اعتمادتری را برای عملکرد مدار شبیه تقویت کننده های نویز- پائین می دهد. همچنین، برای کاربردهای عملی، دستگاه های محیطی گیت بزرگ برای تولید سطوح قدرت خروجی کارآمد مورد استفاده قرار می گیرند. با افزایش محیط گیت (دروازه) دستگاه، اثر خود حرارتی و اثر به دام انداختن نقص هر دو عمیق تر می شود.

عنوان انگلیسی: Advanced CAD tool for noise modeling of RF/microwave field effect transistors with large gate widths~~en~~

۶ ConclusionUsing

a new CAD algorithm, the noise modeling andanalysis of microwave FET have efficiently been studied.In fact, since only half of a FET length is used, instead ofthe whole structure, the computation time will be signifi-cantly affected. Besides, the implementation of this CADtechnique in modern microwave and mm-wave simulatorsis straightforward and will give more reliable results forcircuit performance like low-noise amplifiers. Also, as forpractical applications, large gate periphery devices are usedto generate sufficient output power levels. With theincrease of the device gate periphery, the self-heatingeffect and the defect trapping effect will both be moreprofound.

$$en!!