فایل ورد کامل ‌اندازه‌گیری های دوز ورودی برای دوزسنجی با دیود در محیط طبیعی: مقایسه ضرایب اصلاحی برای دو نوع ردیاب دیودی سیلیکونی تجاری

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ‌اندازه‌گیری های دوز ورودی برای دوزسنجی با دیود در محیط طبیعی: مقایسه ضرایب اصلاحی برای دو نوع ردیاب دیودی سیلیکونی تجاری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۴ صفحه

نتیجه‌گیری
ما وابستگی‌های دو تیپ ردیاب دیودی تجاری یعنی ISORAD  (تیپ n) و QED  (تیپ p) را به TSD، اندازه میدان و گوه در دوزسنجی در محیط طبیعی مورد مطالعه قرار دادیم. رابطه‌ای برای مرتبط‌سازی قرائت‌های دیود با دوزهای ورودی ارائه شد. در این رابطه، ضرایب اصلاحی برای TSD، اندازه میدان و گوه‌های مورد استفاده در این رابطه نیز به وضوح تعریف شدند. ضرایب اصلاحی از داده‌های اندازه‌گیری شده بدست آمدند. نتایج‌مان با نظریه آسیب تشعشع دیودهای سیلیکونی مطابقت داشتند. ما دریافتیم که هر دو نوع دیود ایده‌آل نیستند و به ضرایب اصلاحی نیاز دارند. بطور کلی، ضرایب اصلاحی برای دیودهای ‌QED  (تیپ n) نسبت به ردیاب‌هایISORAD  (تیپ p) کوچکترند. ضرایب اصلاحی که در اینجا برای هر یک از دو نوع دیود گزارش شد نباید بدون بازبینی استفاده شوند.

عنوان انگلیسی: Entrance dose measurements for in-vivo diode dosimetry: Comparison of correction factors for two types of commercial silicon diode detectors~~en~~

CONCLUSION

We have studied TSD, field size and wedge dependences of two types of commercial diodedetectors, ISORAD ~n-type! and QED ~p-type!, for in-vivo dosimetry. A formula is provided torelate diode readings to entrance doses. In this formula, correction factors for TSD, field size, andwedges are defined. Correction factors are derived from measured data. Our results are consistentwith the theory of radiation damage of silicon diodes. We have found that both types of diodes arenot ideal and require correction factors. In general, correction factors for QED ~p-type! diodes aresmaller than ISORAD ~n-type! detectors. Correction factors reported here for either type of diodeshould not be used without verification.

$$en!!