فایل ورد کامل محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ناهمگونی های منفرد

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ناهمگونی های منفرد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۲ صفحه

IV. نتیجه گیری
به طور خلاصه، مشخصات باندهای رسانا و ساختار زیرباند از ناهمگونی های منفرد AlGaN / GaN توسط یک روش عددی خود سازگاری محاسبه شده است. قطبش پیزوالکتریک و خود به خودی، و همچنین تعامل بسیاری از توده ها، به طور قابل توجهی از ساختار زیرباند از ناهمگونی های منفرد AlGaN / GaN تاثیـــر می گذارد. تمرکز صفحات الکترونی در ناهمگونی های AlGaN / GaN به طور حساسی وابسته به کسر مولی Al و عرض AlGaN و تقویت چگالی سد AlGaN است، در حالی که آن حساسیت بیشتری نسبت به غلظت پذیرنده در لایه GaN و درجه حرارت الکترون دارد. با این حال، غلظت پذیرنده GaN و دمای الکترون به طور قابل ملاحظه ای انرژی بالای زیرباندها را تحت تأثیر قرار می دهد. نتایج نظری تمرکز صفحات الکترونی به عنوان تابعی از کسر مولی Al با برخی از داده های تجربی موجود در محدوده x 027 تطابق دارد.

عنوان انگلیسی:Self-Consistent Subband Calculations of AlGaN/GaN Single Heterojunctions~~en~~

IV. CONCLUSION

In summary, the conduction-band profile and subband structure of AlGaN/GaN single heterojunctions are calculated by a self-consistent numerical method. Piezoelectric and spontaneous polarization, as well as the many-body interaction, significantly affect the subband structure of AlGaN/GaN single heterojunctions. Electron sheet concentration at the AlGaN/GaN heterojunction is sensitively dependent on the Al mole fraction and the width of AlGaN and the doping density in the AlGaN barrier, while it is rather insensitive to the accepter concentration in the GaN layer and to the electron temperature. However, the acceptor concentration in the GaN and the electron temperature significantly affect the high energy subbands. The theoretical results of electron sheet concentration as a function of the Al mole fraction were in excellent agreement with some available experimental data available in the range of x 027

$$en!!