فایل ورد کامل منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۴ صفحه

نتیجه گیری

مکمل سیلیسید بدنه نازک دستگاه های سورس / درین با ویژگی های خاموش عالی با طول گیت ۱۵نانومتر نشان داده شده است. منبع / درین PtSi و ErSi1.7 برای PMOS و NMOS به ترتیب ساخته شده است. مدل انتقال ساده متناسب با دستگاه داده ها و سطح فعلی بالستیک را می توان با استفاده از یک اکسید A20 و ۳E19 cm-3 پیش بینی کرد و بدست آورد.

عنوان انگلیسی:Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime~~en~~

Conclusion

Complementary thin-body silicide source/drain devices with excellent turn-off characteristics have been demonstrated down to 15nm gate-length. Source/drains are fabricated from PtSi and ErSi1.7 for PMOS and NMOS respectively. A simple transmission model fits device data and predicts that ballistic current levels can be obtained with the use of a 20 oxide and 3E19 cm-3 extension doping.

$$en!!