فایل ورد کامل ترانزیستور اثر میدانی بر اساس پروتون

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترانزیستور اثر میدانی بر اساس پروتون،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۶ صفحه

۵ نتیجه گیری

نتایج آزمایشات ما محدود شدگی سطح مقطع نانوکانال ها را با میدان الکتریکی خارجی، تایید می کنند که سبب نوسان جریان پروتون در نانوکانال می شود. دستگاه جدید در ولتاژ ورودی پایین کوچکتر از ۱ ولت کار می کند و به خاطر انزوای ورودی نازکش، رسانایی انتقالی بالاتری (یعنی ۱۰ برابر) نسبت به مواردی که در مقالات قبلی منتشر شده اند، دارد. آزمایشات بیشتری در دست انجام است.

عنوان انگلیسی:Field effect transistor based on protons as charge carriers~~en~~

۵ Conclusion

The results of our experiments confirm the confinement of the effective cross-section of nanochannels via external electrical field, causing a modulation of the proton flow in the nanochannel. The novel device works at a low gate voltage of < 1 V and has a higher transconductance (i.e. by a factor of 10) than those reported in previous publications, due to thin gate isolation used in our device. Further experiments are currently underway.

$$en!!