فایل ورد کامل افزایش ایمنی الکترومغناطیسی پیشرفته مدارهای زیرآستانه با طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر منطقی با DTMOS

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل افزایش ایمنی الکترومغناطیسی پیشرفته مدارهای زیرآستانه با طراحی گیت های منطقی اشمیت تریگر منطقی با DTMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۷ صفحه

۶ نتیجه‌گیری

وقتی که ولتاژ منبع مدار کاهش یابد، ایمنی نویز برای تضمین یکپارچگی سیگنال مهم‌تر می‌شود. این مقاله یک روش بهبود ایمنی نویز کاربردی برای مدارهای زیرآستانه را ارائه می‌دهد. روش مرسوم برای افزایش ایمنی استفاده از یک اشمیت‌تریگر است که نیاز به یک مسیر جریان اضافی برای تنظیم ولتاژ آستانه سوئیچینگ دارد و حجم زیادی اشغال میکند. اگرچه، با استفاده از طرح VTMOS پیشنهادی، که ولتاژ آستانه ترانزیستورهای MOS را برای اجرای هیسترزیس ویژگی‌های انتقال تنظیم می‌کند، هم منطقه و هم توان مصرفی می‌تواند به مقدار قابل‌توجهی کاهش یابد و زمانی‌که به‌طور همزمان ایمنی نویز بهبود یافته، افزایش ناچیز در تاخیر، ایجاد می گردد. بنابرین، VTCMOS بر اساس طراحی منطقی دیجیتال می‌تواند طراحی IC کم‌توان و مصونیت از نویز را فراهم سازد.

عنوان انگلیسی:Design of Schmitt Trigger Logic Gates Using DTMOS for Enhanced Electromagnetic Immunity of Subthreshold Circuits~~en~~

VI. CONCLUSION

As the supply voltage of a circuit decreases, noise immunity becomes more important to guarantee signal integrity. This paper presents a method of improving noise immunity applicable to subthreshold circuits. The traditional method for immunity enhancement is to use a Schmitt trigger, which requires an additional current path to adjust the switching threshold voltage and a large area. However, by utilizing the proposed VTMOS scheme, which adjusts the threshold voltage of the MOS transistor to implement the hysteresis of the transfer characteristics, both area and switching power consumption can be significantly reduced while simultaneously providing improved noise immunity, at the expense of a slight increase in delay. Therefore, the proposed VTCMOSbased digital logic design can enable noise-immune low-power IC design.

$$en!!