فایل ورد کامل دستگاه CMOS?MEMS IR مبتنی بر ترموکوپل های دو لایه ای

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل دستگاه CMOS?MEMS IR مبتنی بر ترموکوپل های دو لایه ای،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۴ صفحه

۵ نتیجه گیری:
در این مقاله، یک افزار IR ِ مبتنی بر DLTS با بهره گیری از پروسه ی CMOS طرح ریزی و ساخته شد. آنالیزها و تحلیل های تئوریکی نشان داد که افزار DLTS نسبت به نوع SLTS ـ از جنبه قابلیت های پاسخ دهندگی، آشکارکنندگی و نیز ابعادی ــ از مزیت هایی برخوردار است. چنانکه با بهره گیری از ساختارهای TCEI در پیوندگاه های سرد و گرم، سطح کارکردی ِ افزارهای DLTS بهتر خواهد شد. در هر حال، در اینجا نتایج حاصله از سنجش های اولیه مبین این نکته بود که افزار IR ِ مبتنی بر DLTS مربوطه از قابلیت پاسخ دهندگی ِ ۱۱۵۱۱۵ V/W، آشکارکنندگی ۴۱۵ × ۱۰۸ cm Hz1/2/W و ثابت زمانی ِ ۱۴۴۶ ms برخوردار بوده است. در هر صورت، چنین دستگاهی را می توان به عنوان سنجشگر دما و فشار خلاء (با قابلیت حساسیت سنجی بالا) نیز در نظر گرفت.

عنوان انگلیسی:A CMOSMEMS IR device based on doublelayer thermocouples~~en~~

۵ Conclusion In this work, a DLTS-based IR device is designed and fabricated using a CMOS-compatible process. Theoretical analysis suggests that the DLTS device has advantages over a SLTS device in aspects of responsivity, detectivity as well as in size-control. With the usage of TCEI structures at the cold junctions and the hot junctions, the performances of the DLTS devices are further improved. Preliminary measurement results demonstrate that the DLTS-based IR device achieves a responsivity of 1151.15 V/W, a detectivity of 4.15 × ۱۰۸ cm Hz1/2/W, and a time constant of 14.46 ms. Moreover, such a DLTS-based IR device can also function as a temperature sensor and a vacuum sensor with high sensitivities

$$en!!