فایل ورد کامل شفافیت و حسگری ضریب انکسار ناشی از پلاسمون در یک نوع جدید از موجبر پلاسمونیک مبتنی بر گرافن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل شفافیت و حسگری ضریب انکسار ناشی از پلاسمون در یک نوع جدید از موجبر پلاسمونیک مبتنی بر گرافن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۲۱ صفحه

خلاصه

به طور خلاصه در این مقاله، یک ساختار جدید موجبر بر پایه گرافن تشکیل شده از یک موجبر باس که با یک استریپ رزونانس گرافن یه طور مستقیم و با یک رزوناتور حلقوی به طور غیر مستقیم کوپل شده ، ارائه شده است. اثر PIT اشاره شده، میتواند با تغییر پارامتر های مربوطه به دست آید. سنسور ضریب شکست با حساسیت nm/RIU و FoM بالا ، محقق شد. ساختار موجبر ارئه شده و خواص بدست آمده آن میتواند در مدار های مجتمع نوری، خصوصا برای ساخت نانوحسگر ها، کلیدها، ادوات نور کند و مدولاتور ها موردد استفاده قرار بگیرد.

عنوان انگلیسی:Plasmon induced transparency and refractive index sensing in a new type of graphene-based plasmonic waveguide~~en~~

Conclusion

In conclusion, a new type of graphene-based waveguide structure composed of a bus waveguide side coupled with a graphene strip resonator directly and with a graphene ring resonator indirectly has been proposed in this paper. The so-called PIT effect can be achieved by controlling the relevant parameters. The refractive index sensor is realized with a sensitivity of 4160 nm/RIU as well as a higher value of figure of merit. The presented waveguide structure and the features obtained for it can be useful in optical integrated circuits, especially in the design of nano sensors, switches, slow light devices, and modulators.

$$en!!