پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدان (FET) 20 اسلاید در PowerPoint


در حال بارگذاری
10 جولای 2025
پاورپوینت
17870
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدان (FET) 20 اسلاید در PowerPoint دارای ۲۰ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدان (FET) 20 اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدان (FET) 20 اسلاید در PowerPoint :

پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدان (FET) 20 اسلاید در PowerPoint

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : پاورپوینت

نوع فایل : .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد اسلاید : ۲۰ اسلاید

قسمتی از متن .ppt :

ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

ترانزیستور اثر میدان
Field Effect Transistor

کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود.

ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد

تعریف

اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود

بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن

اگر هر سه پایه سورس و درین را اتصال کوتاه کنیم هیچ جریانی از کانال نمی گذرد و دو ناحیه P و n توسط ناحیه تخلیه از هم جدا می شوند.

اتصال منبع ولتاژ بین دو پایه درین و سورس به طوری که درین نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
افزایش ولتاژ باعث عبور جریان از کانال می شود
اتصال pn در گرایش معکوس قرار می گیرد
ناحیه تخلیه (سد) در داخل کانال نفوذ می کند
با افزایش بیشتر ولتاژ کانال مسدود می شود. (ولتاژ بحرانی Vp)

پاورپوینت کامل ترانزیستورهای اثر میدان (FET) 20 اسلاید در PowerPoint
فهرست مطالب و اسلایدها:

تعریف

ایجاد ترانزیستور اثر میدان (FET)

بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن

علامت اختصاری FET

منحنی مشخصه FET

ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده

N Channel Mosfet

MOSFET P-channel

Complementary MOS CMOS

  راهنمای خرید:
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.