پاورپوینت کامل پاسخ فرکانسی سیستم نانویی در محدوده ی تراهرتز ۷۱ اسلاید در PowerPoint


در حال بارگذاری
10 جولای 2025
پاورپوینت
17870
3 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل پاسخ فرکانسی سیستم نانویی در محدوده ی تراهرتز ۷۱ اسلاید در PowerPoint دارای ۷۱ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل پاسخ فرکانسی سیستم نانویی در محدوده ی تراهرتز ۷۱ اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از مطالب داخلی اسلاید ها

پاورپوینت کامل پاسخ فرکانسی سیستم نانویی در محدوده ی تراهرتز ۷۱ اسلاید در PowerPoint

اسلاید ۴: در گرافن دو بعدی، الکترون‌ها جرم اندکی داشته و در برابر میدان الکتریکی بسیار سریع پاسخ می‌دهند. ۴

اسلاید ۵: فرکانس پلاسمون، نوسانات این الکترون‌ها، به‌سرعت حرکت الکترون‌ها و بازگشت آنها به‌جای اولیه بستگی دارد. زمانی که یک پرتو با فرکانس مشابه مورد استفاده قرار گیرد، برانگیختگی رزونانسی اتفاق افتاده و افزایش قابل ملاحظه‌ای در قدرت نوسانات مشاهده می‌شود. از آنجایی که فرکانس این نوسان توسط پهنای روبان مشخص می‌شود، با تغییر این پهنا می‌توان سیستم را به‌نحوی تنظیم کرد که فرکانس‌های مشخصی را جذب کند۵

اسلاید ۶: محدوده تراهرتزی:امواج تراهرتز به امواج مغناطیسی رادیویی در محدوده فرکانس ۰.۱ تا ۱۰ تراهرتز می باشد و انرژی فوتون ۰.۰۳_۳mm و۰.۴_۴۰mev می باشد۶

اسلاید ۷: ۷

اسلاید ۸: ۸

اسلاید ۹: امواج تراهرتز شامل پروتون ها که دارای انرژی کمی هستند باعث آسیب های همراه با یونیزاسیون رادیویی مانند امواج x_ray نخواهند شد چرا که برای بافت بیولوژیکی که بدن انسان را شامل میشود مضرنیستند. ۹

اسلاید ۱۰: قوانین تکنولوژی تراهرتز: منابع تراهرتز:دست آوردها در توسعه ی منابع تراهرتز:۱.عملکرد فرکانس های دستگاه های مایکروویو و دستگاه های میلی متری در رنج تراهرتز۲.منابع الکترون های آزاد مانند لیزر های الکترون آزاد و اسیلاتورهای امواج برگشتی (BWO)3.روش های اپتیکی که به عنوان تکنیک اصلی در بسیاری از وسایل تراهرتزی می باشد.۴.جدید ترین نوآوری که به عنوان لیزر های کوانتوم آبشاری می باشد.(QCLs)10

اسلاید ۱۱: نمایش تابع فرکانسی:۱۱

اسلاید ۱۲: منابع تراهرتز در دسترس: امیترهای تونلینگ لیزرهای الکترون ازاد اسیلاتورهای موج برگشتی لیزرهای گازی مبدل های اپتیکی پارامتری۱۲

اسلاید ۱۳: معایب منابع تراهرتز در دسترس: بزرگ بودن ان ها پیچیدگی نیازمند توان بزرگ هزینه ی زیاد۱۳

اسلاید ۱۴: وسایل الکترونیکی هادی: Gunn oscillator دیود های شاتکی مالتی پلایر های فرکانسی که توان خروجی را تحت تاثیر قرار می دهند. لیزرهای کوانتوم آبشاری که امیترهای تراهرتزی حالت جامد که در دماهای پایین عمل می کند. ۱۴

اسلاید ۱۵: دیود های گان (transferred electron device) IM PATT (impact avalanche transit time) diodes TUNNETT (tunnel injection transit time)diods این دیود ها منابع فرکانس بالا هستند. فواید این منابع در مقاومت تفاضلی منفی ادر مشخصه ولتاژ جریان است. ۱۵

اسلاید ۱۶: گان دیودها و IMPATT دیود ها با فرکانس ۵۰۰_۴۰۰ گیگا هرتز InP Gunn با ۴۱۲ گیگا هرتز و ۴۵۵ گیگا هرتز GaAs TUNNETs با ۲۰۲ گیگا هرتز RTDs based on InGaAs/AlAs با فرکانس ۹۱۵ گیگا هرتز HEMT) با فرکانس بیشتر از یک تراهرتز HBTs با فرکانس ۷۶۵ گیگا هرتز در دمای اتاق و با فرکانس ۸۵۵ گیگا هرتز در دمای ۲۱۷ درجه سانتی گراد ۱۶

اسلاید ۱۷: در دست اوردهای اخیر : ترانزیستورهای بالستیک از جنس InGaAs-InAlAs با ساختار هیترووInP substrate با فرکانس ۱.۰۲ تراهرتز دست اوردهای اخیر در ژاپن ترانزیستور HEMT با فرکانس ۲.۱ تراهرتز از جنس AlGaN/GaN 17

اسلاید ۱۸: مالتی پلایر از یک دیود واراکتور شاتکی بین ورودی و خروجی برای تطبیق اشکال: توان خروجی از توان ورودی کم تر با استفاده از HEMT از فرکانس ۱۰۰ گیگا هرتز به ۱ تا ۳ هرتز میرسد که اتلاف توان را کمتر می کند۱۸

اسلاید ۱۹: منابع الکترون ها ی ازاد: لیزرهای الکترون ازاد تئان بالایی با فرکانس ترا هرتز دارند. گران قیمت فرکانس ۰.۳ تا ۱.۳ تراهرتز۱۹

اسلاید ۲۰: Terahertz Technology for Nano Applications, Fig. 3 (a) SEM Image of top view of ballistic deflection transistors. After [2]. (b) Schematics of the GaN/AlGaN plasmonic HEMT20

اسلاید ۲۱: micro-VEDs (mVEDs).”۲۱

اسلاید ۲۲: HPA توان خروجی بالاتر از۰ db 2 gain >20 dB at 1.03 THz.22

اسلاید ۲۳: Optical THz Emission Techniquesتکنیک های اپتیکی جذب تراهرتزی۰.۹–۳ THz توسط لیزر دی اکسید کربن۲۳

اسلاید ۲۴: Quantum Cascade Lasers لیزرهای کوا

  راهنمای خرید:
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.