پاورپوینت کامل ساخت قطعات غیر فعال با استفاده از نرم افزار L-Edit 31 اسلاید در PowerPoint

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل ساخت قطعات غیر فعال با استفاده از نرم افزار L-Edit 31 اسلاید در PowerPoint دارای ۳۱ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در PowerPoint می باشد و آماده ارائه یا چاپ است

شما با استفاده ازاین پاورپوینت میتوانید یک ارائه بسیارعالی و با شکوهی داشته باشید و همه حاضرین با اشتیاق به مطالب شما گوش خواهند داد.

لطفا نگران مطالب داخل پاورپوینت نباشید، مطالب داخل اسلاید ها بسیار ساده و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی پاورپوینت کامل ساخت قطعات غیر فعال با استفاده از نرم افزار L-Edit 31 اسلاید در PowerPoint،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از مطالب داخلی اسلاید ها

پاورپوینت کامل ساخت قطعات غیر فعال با استفاده از نرم افزار L-Edit 31 اسلاید در PowerPoint

اسلاید ۴: انواع خازندر نرم افزار L-Edit پنج نوع خازن وجود دارد که با توجه به نوع تکنولوژی مورد استفاده می توان ازاین خازنها استفاده نمود:CNMOS (NMOS Capacitor)CPMOS (PMOS Capacitor)PCAP (Poly-Cap1 Capacitor)CPLP2 (Poly-Poly Capacitor)C-Well (Well Capacitor) هر یک از خازنهای گفته شده دارای یک خازن صفحه ای یا ورقه ای ویک خازن حاشیه ای (Area & Fringe ) می باشند که ظرفیت کل خازن برابر با مجموع خازن صفحه ای وحاشیه ای می باشد

اسلاید ۵: CNMOS(1همانطور که از نامش پیداست براس ساخت این خازن از ترانزیستور NMOS استفاده می کنند به این ترتیب که یک لایه Capacitor ID روی آن می کشند تا یک خازن بدست آید ظرفیت خازن برابر است با اشتراک ناحیه اکتیوو پلی ، مانند شکل زیر: (دوخازن سری می باشند)

اسلاید ۶: ۲)CPMOSمثل حالت قبلی می باشد با این تفاوت که به جای NMOS از PMOS استفاده می شود و مساحت خازن برابر است با اشتراک ناحیه اکتیو وپلی (دوخازن سری می باشند )

اسلاید ۷: ۳)PCAP3) PCAP : دراین روش ازیک لایه poly ولایه poly-cap1 با لایه Capacitor ID روی آن برای ساخت خازن استفاده می شود در این نوع خازن ظرفیت آن برابر است با اشتراک لایه پلی وpoly-cap1 وCapacitor ID می باشد .شکل صفحه بعد دوخازن سری با استفاده از pcap را نشان می دهد :

اسلاید ۸: ۳)PCAPاشتراک لایه ployوpoly-cap1 وcapacitor ID لایه poly-cap1 لایهcapacitor ID

اسلاید ۹: ۴)خازنcplp2در این روش از لایه های poly1 وpoly2 ویک لایه Capacitor ID برای ساخت استفاده می شود . در این روش ظرفیت خازن برابر است با اشتراک لایه پلی۱وپلی۲ باCapacitor ID . ناحیه پلی۲ اشتراک لایه پلی۱وپلی۲ و capacitor IDبرای خازنC-wll همانند موارد قبلی می باشد .

اسلاید ۱۰: مثالمی خواهیم یک خازن NMOS با استفاده از تکنولوژی ۱.۲ میکرون طراحی کنیم :دو خازن بصورت زیر طراحی می کنیم بطوریکه اندازه هر دو خازن برابر می باشد.

اسلاید ۱۱: مثالخروجی extract شده که L-Edit به ما می دهد بصورت زیرمی باشد:ظرفیت هر دو خازن برابر۵۲.۷۹۷۶ فمتوفاراد