فایل ورد کامل توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه، به عنوان مسئول ایجاد هیسترزیس

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

این مقاله، ترجمه شده یک مقاله مرجع و معتبر انگلیسی می باشد که به صورت بسیار عالی توسط متخصصین این رشته ترجمه شده است و به صورت فایل ورد (microsoft word) ارائه می گردد

متن داخلی مقاله بسیار عالی، پر محتوا و قابل درک می باشد و شما از استفاده ی آن بسیار لذت خواهید برد. ما عالی بودن این مقاله را تضمین می کنیم

فایل ورد این مقاله بسیار خوب تایپ شده و قابل کپی و ویرایش می باشد و تنظیمات آن نیز به صورت عالی انجام شده است؛ به همراه فایل ورد این مقاله یک فایل پاور پوینت نیز به شما ارئه خواهد شد که دارای یک قالب بسیار زیبا و تنظیمات نمایشی متعدد می باشد

توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه، به عنوان مسئول ایجاد هیسترزیس،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

تعداد صفحات این فایل: ۱۶ صفحه

۵ نتایج
در این مقاله ، روش نمونه گیری ولتاژ گیت برای استخراج نرخ های حبس و آزاد سازی الکترون ها مورد استفاده قرار گرفت. روند رها سازی در طول اندازه گیری ها به طور کامل توضیح داده شده و معادلات مربوطه به دست آمده است. نرخ حبس تقریبا ۳۰ s تخمین زده شد در حالی که نرخ رها سازی حدود ۰۵ s تخمین زده شد. برای تایید اعتبار روش استفاده شده ، روش پمپ شارژ کانال نیز استفاده شده است. به این علت که در روند های حبس و آزاد سازی ، تراکم کلی تله ها در هر دو روش تقریبا با هم مطابقت داشت ، و هر دو مقداری نزدیک به ۳۲ *۱۰^۱۳ cm^-2
را نتیجه دادند ، صحت تکنیک ها تایید میشود.

عنوان انگلیسی:Characterization of interface trap dynamics responsible for hysteresis in organic thin-film transistors~~en~~

۵ Conclusion

In this paper, the gate-voltage sampling method is applied to extract both the trapping and detrapping rates. The detrapping process during the measurement is explained and the relevant equations are derived. The estimated trapping rate is around 30 s while the detrapping rate is about 0.5 s. To verify the validity of the technique, the channel charge pumping method is used. Since in the trapping and detrapping process the total trap densities measured using both methods are consistent with each other, giving a value close to 3.2 *10^13 cm^-2 , the accuracy of the technique is confirmed.

$$en!!