فایل ورد کامل تحقیق درمورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق درمورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق درمورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق درمورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق درمورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور :

با دانلود تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور ادامه مطالب را بخوانید.

نام فایل:تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

فرمت فایل:word و قابل ویرایش

تعداد صفحات فایل:۳۶ صفحه

قسمتی از فایل:

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای ۴ الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و …. مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌۳۲ می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال ۱۸۸۶ توسط ونیکلر[۱] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال ۱۸۱۰توسط گیلوساک[۲] و تنارد[۳] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

[۱] winkler