فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word دارای ۴۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word :

بخشی از فهرست مطالب فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word

فصل اول:کلیات    
۱-۱-نانو چیست؟    
۱-۲) مقدمهای بر لایه های نازک    
۱-۳) تاریخچه لایه های نازک    
۱-۴) ویژگیهای لایه های نازک    
۱-۵) روشهای ساخت لایه های نازک    
۱-۵-۱) روش های فیزیکی    
۱-۵-۱-۱) رسوب گذاری فیزیکی از فاز بخار    
۱-۵-۱-۲) فرایند های تبخیر    
۱-۵-۱-۳) بر آرایی باریکه مولکولی    
۱-۵-۱-۴) رسوب گذاری با بهره گیری از پرتو یونی    
۱-۵-۱-۵) فرایند کندوپاش    
۱-۵-۲)روش های شیمیایی    
۱-۵-۲-۱) رسوب دهی شیمیایی از بخار(CVD)    
۱-۵-۲-۲) رسوب گیری از حمام شیمیایی(CBD)    
۱-۶) مشخصه یابی نمونه ها    
۱-۶-۱) طیف سنجی پراش پرتو ایکس    
۱-۶-۱-۱)پراش پرتوx    
۱-۶-۱-۲) روشهای پراش پرتوx    
۱-۶-۲) میکروسکوپ الکترونی عبوری(TEM)    
۱-۶-۳) میکروسکوپ الکترونی روبشی(SEM)    
۱-۷) خواص تابع اندازه نانو ذرات    
۱-۸) نقاط کوانتومی    
۱-۹) گاف انرژی    
۱-۱۰) گاف انرژی در نیمرساناها    
۱-۱۱) اکسیتون در نانو ذرات    
۱-۱۲)نیم رسانا با گاف انرژی مستقیم و غیر مستقیم    
۱-۱۳) شعاع نانو ذرات    
۱-۱۴)ذره در جعبه کوانتومی    
فصل دوم:مرورمنابع    
۲-۱)مقدمه    
۲-۲) مروری بر مقاله های ساخت و مشخصه نگاری نیکل    
۲-۲-۱) بررسی مقاله اول    
۲-۱-۲) بررسی مقاله دوم    
منابع و مراجع    

بخشی از منابع و مراجع فایل ورد کامل تحقیق لایه های نازک و روش های ساخت آن و گاف انرژی در نیم رساناها ۴۳ صفحه در word

[۱] مرعشی پیروز و همکاران، اصول و کاربرد میکروسکوپ­های الکترونی و روش­های نوین آنالیز، ابزار شناسایی دنیای نانو، انتشارات دانشگاه علم و صنعت ایران

[۲]ادوارد ولف، نانو فیزیک ونانو فناوری-مقدمه ایی بر مفاهیم پیشرفته در علوم نانو، انتشارات دانشگاه صنعتی سهند-تبریز۱۳۸۹

[۳] سوالونی هادی، مبانی علم سطح در نانوفناوری جلد اول، انتشارات دانشگاه تهران

[۴] پی.پول چارلز،مقدمه ایی بر نانو فناوری انتشارات دانشگاه تبریز،۱۳۸۸

[۵] رتنر مارک، نانو فناوری، انتشارات سیمای دانش۱۳۸۵

[۶] Y.Li,J.Feng,S.Daniels,N.Pickett,P.O’Brien,J.Nanosci.Nanotechnol.7(2007)

[۷] R.Viswanatha,S.Sapra,H.Amenitsch,B.Sartori,D.D.Sarma,J.Nanosci. Nanotechnol l.7(2007)

[۸] H O. Pierson, “HANDBOOK OF CHEMICAL VAPOR  DEPOSITION(CVD) Principles, Technology, and Applications”, ۲th Ed, NOYES PUBLICATIONS Park Ridge, New Jersey, U.S.A, (2001)

[۹] K. L. Choy, “Chemical vapor deposition of coatings”, Progress in Materials Science 48 (2003) 57–۱۷۰

[۱۰] T. Sugiyama, T. Itoh; “Laser Processing and Analysis of Materials, Plenum Press” Applied Physics Letters 52, (1988), pp.828-833. Chapter 2, (1976)

[۱۱] Braun, R. D., Introduction to Instrumental Analysis, McGraw-Hill, New York,

[۱۲] Ewing, G. W., Instrumental Methods of Chemical Analysis, Mc Graw-Hill, Singapore,

[۱۳] Freiser, H., Concepts and Calculations in Analytical Chemistry, CRC, Florida,

فصل اول:کلیات

۱-۱-  نانو چیست؟

پیشوند نانو در کلمه­ ی نانو فناوری به معنای یک بیلیونیوم (۹- ۱۰) است. نانو فناوری به ساختارهای گوناگون موادی می­پردازد که دارای ابعادی در حدود یک بیلیونیم متر می­باشد. در حالی که کلمه­ نانو فناوری نسبتاً جدید است، وجود مجموعه­ های فعال و ساختارهایی با ابعاد نانو متری تازگی ندارند و در حقیقت چنین ساختارهایی به اندازه طول عمر حیات در روی زمین وجود داشته­اند. آبالون[۱] که نوعی نرم تن یا حلزون است، پوسته­های صدفی بسیار سختی را می­سازد که دارای رویه­ های درونی با نمای قوس و قزحی می­باشد. چنین رویه­هایی از آجرهای سختی از کلسیم کربنات با ابعاد نانو درست شده­اند که به کمک چسبی مرکب از مخلوطی از یک کربوهیدرات و پروتئین در کنار هم قرار گرفته­اند. ترک­های بوجود آمده در سطح بیرونی، به دلیل وجود آجرهایی با ساختار نانو، قادر به گسترش در سرتاسر پوسته صدفی نمی­باشند. پوسته­های صدفی، نمایشی طبیعی از ساختاری را نشان می­دهند که از ذراتی به ابعاد نانو درست شده است و می­تواند بسیار سخت باشد[۱]

روند نانو فناوری، به طور خاص در ساخت نانو نقاط طلا، کار جدیدی نیست. بیشتر شیشه­های رنگی پنجره­هایی که در کلیساهای دوره رنسانس یافت می­شد و برخی از ظروف سفالی جلا دار و صیقل یافته مربوط به دوران سفالی باستان، به این واقعیت متکی بود که خصوصیات مقیاس نانوی مواد از خصوصیات بزرگ مقیاس آنها متفاوت هستند بویژه ذرات طلای نانو مقیاس می توانند نارنجی، بنفش، قرمز یا سبز رنگ باشند که وابسته به اندازه آنهاست. به عبارتی نخستین نانو فناوران در حقیقت شیشه­کاران ریخته گری­های دوره رنسانس

بودند نه سفیدپوشان کارخانه نیمه هادی پیشرفته. شیشه ­کاران و جام اندازان قدیم به وضوح نمی­دانستند که چرا کاری که با طلا می­کنند این رنگ­ها را به بار می آورد، در حالی که ما امروز می دانیم

یکی از بنیانگذاران شرکت اینتل، دو قانون تجربی را متذکر شد تا پیشرفت­های شگفت انگیز در الکترونیک مدارات مجتمع را توصیف کند: قانون اول مور(که اغلب آنرا قانون مور می نامند) می­گوید مقدار فضای لازم برای نصب یک ترانزیستور روی یک تراشه به طور تقریبی هر ۱۸ ماه به نصف کاهش می­یابد این بدان معنی است که نقطه­ایی که ۱۵ سال پیش می­توانست یک ترانزیستور را نگه دارد، اکنون می­تواند ترانزیستور را نگه دارد اما قانون دوم مور، پیامدی از قانون اول است که پیش بینی می­کند هزینه ساخت یک کارخانه تولید تراشه(یا همان خط تولید آن) با بروز هر نسل از تراشه ها یا حدودا هر ۳۶ ماه دو برابر می شود[۲]

اساساً ایده رسیدن به اندازه­های کوچک در یک فناوری ریز شده از دیدگاههای مختلفی جالب توجه می­باشد. در صورت رسیدن اندازه به محدوده مقیاس اتم، قوانین فیزیک از حالت کلاسیک خارج شده و از قوانین مکانیک کوانتومی نانو فیزیکی پیروی می نماید. نحوه تغییر رفتار از حالت کلاسیکی و در ادامه به مقیاس اتمی در محدوده فیزیکی قابل درک است، لیکن جزئیات موارد خاص، پیچیده و متفاوت بوده و نیاز به تجزیه و تحلیل بیشتری دارد. اگر چه ممکن است گذار از فیزیک کلاسیک به نانو فیزیک باعث بروز ایرادهایی در ادوات موجود گردد، ولی می­تواند سبب گشوده شدن مولفه­ های دیگری برای توسعه ادوات جدید گردد

به کاستن اندازه ماشین­های حاضر از یک میلی متر به یک نانو متر فکر کنید، کاهشی از مرتبه شش در ابعاد، در این محدوده تغییرات ابعادی و شاید تا ۵ مرتبه اول تا حدود اندازه ۱۰ نانومتر قوانین فیزیک کلاسیک نیوتنی بتواند نحوه رفتار ماده را تشریح نماید. این محدوده تغیرات ابعادی بسیار وسیع بوده وبنابراین تغییر مقداری خواص مهم فیزیکی مانند فرکانس ارتعاش نیز بسیار بزرگ خواهد بود که خود می­تواند دری به سوی شکوفایی کاربرد­های جدید باشد[۳]

۱-۲) مقدمه­ای بر لایه های نازک

لایه نازک در واقع لایه ای از مواد است که ضخامت آن در محدوده کسری از یک نانومتر تا چند میکرومتر قرار گرفته باشد. اهمیت عمده لایه های نازک در صنایع الکترونیک، میکروالکترونیک و صنایع نوری می­باشد که در سال­های اخیر با پیشرفت فناوری نانو، رشد قابل ملاحظه ای را در اصلاح خواص سطحی مواد داشته است. لایه­ های نازک دارای خواصی ویژه هستند که با خواص مواد مربوطه آنها در حالت حجمی به میزان قابل ملاحظه­ای متفاوت است. این تفاوت به واسطه ابعاد فیزیکی، شکل هندسی و ریزساختار آنها به وجود می آید. همچنین این ویژگی­های مشخصه لایه­های نازک را می توان به میزان بسیار زیادی تغییر داده و به منظور حصول مشخصه­های فیزیکی مورد نیاز و مطلوب تعدیل کرد. این ویژگی­ها پایه و اساس توسعه کاربردهای لایه­های نازک در دستگاههای مختلف را تشکیل می دهند. لایه­های نازک با خواصی ناشی از ویژگی اصلی آنها که شامل نازک بودن و بزرگی فوق العاده نسبت سطح به حجم است، کاربردهای فراوانی در فناوری های نوین یافته اند. برخی خصوصیاتی که در اثر نازک بودن سطح به وجود می­آید شامل افزایش مقاومت ویژه و ایجاد پدیده تداخل نورمی باشد[۴]

[۱] . Abalon