فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

لطفا نگران مطالب داخل فایل نباشید، مطالب داخل صفحات بسیار عالی و قابل درک برای شما می باشد، ما عالی بودن این فایل رو تضمین می کنیم.

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word
ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد
سال انتشار:۲۰۱۴
تعداد صفحه ترجمه:۶
تعداد صفحه فایل انگلیسی:۵

موضوع انگلیسی :Fabrication of carbon nanotube field effect transistors by AC
dielectrophoresis method
موضوع فارسی:دانلود فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC 14 صفحه در word
چکیده انگلیسی:Abstract
Single wall carbon nanotubes (SWNTs) suspended in isopropyl alcohol have been placed between two electrodes by AC dielectrophoresis
method. The number of SWNTs bridging the two electrodes is controlled by SWNT concentration of the suspension
and deposition time. Through selectively burning off the metallic SWNTs by current induced oxidation, the back-gate carbon
nanotube field effect transistors (CNTFETs) with a channel current on–off ratio of up to 7 · 105 have been successfully fabricated.
The success rate of the CNTFETs in 20 samples is 60%. These results suggest that AC dielectrophoresis placement method is an
efficient technique to fabricate CNTFETs with some flexibilities of controlling CNT reconnection, length and orientation.

۲۰۰۴ Elsevier Ltd. All rights reserved.
چکیده فارسی:

چکیده

نانولوله های کربنی تک جداره (SWNTs) معلق در الکل ایزوپروپیل بین دو الکترود به روش در الکتروفورسیز AC جای گرفته اند. تعداد SWNTهای اتصال دهنده دو الکترود توسط غلظت SWNT معلق و زمان رسوب کنترل می شود. از طریق احتراق انتخابی SWNT متالیک با اکسیداسیون حاصل شده جریان، نانولوله های کربنی بازگشت به گیت موجب اثرگذاری بر ترانزیستورها (CNTFET) با جریان کانالی نسبت روشن – خاموش بیش از شده و بطور موفقیت آمیز ساخت آن را در پی داشته اند. میزان موفقیت CNTFET ها در ۲۰ نمونه برابر ۶۰ درصد است. این نتایج نشان می دهد که روش جاگذاری دی الکتروفورسیز AC یک تکنیک کارآمد برای ساخت CNTFET با انعطاف پذیری کنترل اتصال مجدد CNT، طول و جهت آن می باشد.