فایل ورد کامل مقاله موقعیت سنجی از روش های مختلف ۵۵ صفحه در word

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله موقعیت سنجی از روش های مختلف ۵۵ صفحه در word دارای ۵۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله موقعیت سنجی از روش های مختلف ۵۵ صفحه در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله موقعیت سنجی از روش های مختلف ۵۵ صفحه در word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله موقعیت سنجی از روش های مختلف ۵۵ صفحه در word :

دانلود فایل ورد کامل مقاله موقعیت سنجی از روش های مختلف ۵۵ صفحه در word

نوع فایل: word

فرمت فایل: doc

قابل ویرایش

تعداد صفحات : ۵۰ صفحه

قسمتی از متن :

بطور کلی موقعیت سنجی از روشهای مختلف زیرقابل حصول است:

• خازنی
• جریان یورشی
• نوری
• مقاومتی
• سونار
• لیزری
• پیزوالکتریک
• القایی
• مغناطیسی

سنسور های مغناطیسی برای بیش از ۲۰۰۰ سال است که در حال استفاده می باشند. کاربرد اخیر سنسورهای مغناطیسی در رهیابی یاناوبری (Navigation) می باشد.
سنسورهای مغناطیسی از آهنربای دائمی و یا آهنربای الکتریکی تولید شده از جریان acو یا dc استفاده میکند. سنسورهای مغناطیسی، بطور کلی، بر میدان مغناطیسی عمل می کنند و ویژگیهای آنها تحت تاثیر میدان مغناطیسی تغییر می آند. از ویژگیهای این سنسورها غیر تماسی بودن (Non contact) آنهاست. در آنها هیچ اتصال مکانیکی میان قسمت های متحرک و قسمت های ثابت وجود ندارد. این خاصیت منجر به افزایش طول عمر آنها شده است.
علاوه بر این لغزش قسمت های متحرک بر هم، در دیگر سنسورها مثل پتانسیومتر باعث ایجاد نویز میشود، که این مشکل در سنسورهای مغناطیسی رفع شده است.سنسورهای مغناطیسی به سبب ساختار مناسبی که دارند در محیط های آلوده،چرب و روغنی بخوبی عمل می کنند و به همین علت در اتومبیل و کاربردهای این چنینی بسیار مفید هستند.
سنسورهای مغناطیسی بر مبنای رنج میدان اعمالی بصورت زیر تقسیم بندی می شوند:

• : Low field کمتر لز ۱MG
• Medium field : بین ۱MG تا ۱۰G
• : High field بالاتر از ۱۰G

جابجایی(Displacement) به معنی تغییر موقعیت است.سنسورهای جابجایی به دو نوع افزایشی(Incremental) و مطلق (Absolute) تقسیم می شوند. سنسور های افزایشی میزان تغییر بین موقعیت فعلی و قبلی را مشخص می کنند. چنانچه اطلاعات مربوط به موقعیت فعلی از دست برود، مثلا منبع تغذیه دستگاه قطع بشود، سیستم باید به مبدا خود منتقل شود در نوع مطلق موقعیت فعلی بدون نیاز به اطلاعات مربوط به موقعیت قبلی بدست می آید. نوع مطلق نیازی به انتقال به مرجع خود را ندارد. معمولا سنسورهای جابجایی مطلق را سنسورهای موقعیت ( Position sensor )می نامند.
بطور کلی زمانی که بخواهیم کمیت های فیزیکی مانند جهت ، حضور یا عدم حضور ، جریان ، چرخش و زاویه را اندازه گیری کنیم و از سنسورهای مغناطیسی استفاده کنیم ، ابتدا بایستی تا این کمیت ها یک میدان مغناطیسی را بوجود آورند و یا تغییری در میدان مغناطیسی یا در خصوصیات مغناطیسی سنسور ایجاد نمایند و در نهایت سنسور این تغییر را احساس نموده و آن را با یک مدار بهسازی به جریان یا ولتاژ مناسب تغییر دهیم.

در ادامه اصطلاحاتی جهت یادآوری بیان می شود:

شدت میدان مغناطیسی : (Magnetic field intensity)
نیرویی است که شار مغناطیسی را در ماده به حرکت در می آورد. به همین علت بدان نیروی مغناطیس کنندگی ( Magnetizing force) نیز می گویند.واحد آن آمپر بر متر می باشد. و ان را باH نمایش می دهند .

چگالی شار مغناطیسی (Magnetic flux density) :
شار مغناطیسی است که در واحد سطح ماده توسط نیروی مغناطیس کنندگی بوجود آمده است. و واحد آن نیوتن بر متر مربع می باشد. و ان را باB نمایش می دهند .

نفوذپذیری مغناطیسی: (Magnetic permeability)
توانایی و قابلیت ماده جهت نگهداشتن و عبور شار مغناطیسی است .و ان را باu نمایش می دهند .

هیسترزیس: ( Hysteresis )
پدیده ای است ;ه در آن حالت سیستم وارون پذیر نمی باشد.
در یک سنسور جابجایی یا موقعیت این پدیده باعث می شود تا مقدار خوانده شده در یک نقطه توسط سنسور هنگام رسیدن بدان از بالا و پایین تفاوت بکند.

هیسترزیس مغناطیسی: (Magnetic hystresis)
زمانی که یک ماده فرومغناطیسی در یک میدان مغناطیسی متغیر قرار می گیرد به سبب عقب افتادگی چگالی شار (B) از نیروی مغناطیس کنندگی (H)این پدیده رخ می دهد.

اشباع مغناطیسی : (Magnetic saturation)
حد بالای توانایی یک ماده جهت عبور شار مغناطیسی از خود است.

سنسورهای اثر هال
Hall Effect sensors

مقدمه

یک عنصر هال از لایه نازکی ماده هادی با اتصالات خروجی عمود بر مسیر شارش جریان ساخته شده است وقتی این عنصر تحت یک میدان مغناطیسی قرار می گیرد، ولتاژ خروجی متناسب با قدرت میدان مغناطیسی تولید می کند. این ولتاژ بسیار کوچک و در حدود میکرو ولت است. بنابراین استفاده از مدارات بهسازی ضروری است. اگر چه سنسور اثرهال، سنسور میدان مغناطیسی است ولی می تواند به عنوان جزء اصلی در بسیاری از انواع حسگرهای جریان، دما، فشار و موقعیت و ; استفاده شود. در سنسورها،
سنسور اثر هال میدانی را که کمیت فیزیکی تولید می کند و یا تغییر می دهد حس می آند.